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背面接触电极与基板连接减少焊接环节这样既降低焊接碎片率

发布时间:2023/7/27 20:25:04 访问次数:36

CY8C42XX系列除了具有额外的处理能力和增强的数字模块之外,还可以实现同类最佳的功耗(仅为150nA),同时可保持SRAM存储器、可编程逻辑工作,并可从中断唤醒 。

在停止模式(stop mode)下的耗电仅为20nA,同时保持从I/O引脚唤醒的能力。

PSoC 4200系列拥有所有Cortex-M0器件中最宽的工作电压范围,能支持介于1.71V到5.5V之间的全部模拟和数字工作电压。其灵活的模拟和数字资源使得这一系列产品成为当今市场上可配置性最强的ARM Cortex-M0片上系统。

22纳米制造技术,意味着该处理器的热耗非常低。

1019Y处理器的推出对于新一代廉价版超级本的推出具有重要的促进意义,其比目前最便宜的英特尔Y系列处理器还要便宜近一半的价格。019Y处理器是一款双核处理器,主频达到1GHz,此外该款处理器还整合了高清显卡以及高端的“常春藤桥”处理器技术。

MWT是金属穿孔卷绕硅太阳能电池技术的简称,这种技术主要是通过激光穿孔和灌孔印刷技术,将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导至硅片背面。

由于电池正面没有主栅线,电池受光面积增大从而有效的提高了电池的光电转换效率。在组件端,电池片之间均通过背面接触电极与基板连接,减少了焊接环节,这样既降低了焊接碎片率又降低了焊接引起的电阻损耗,从而有效提高了组件输出效率。

值得注意的是,其产品Logo揭露出AMD计划在未来采用ARM架构推出更低功耗的嵌入式处理器。

在DESIGN West大会上AMD发布新款G系列嵌入式系统单芯片,采用代号Jaguar架构的四个CPU核心,整合Radeon 8000系列GPU核心,以及外围I/O控制功能,强调效能较前代产品提升113%,并支持平行处理、高级绘图功能。

深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

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在停止模式(stop mode)下的耗电仅为20nA,同时保持从I/O引脚唤醒的能力。

PSoC 4200系列拥有所有Cortex-M0器件中最宽的工作电压范围,能支持介于1.71V到5.5V之间的全部模拟和数字工作电压。其灵活的模拟和数字资源使得这一系列产品成为当今市场上可配置性最强的ARM Cortex-M0片上系统。

22纳米制造技术,意味着该处理器的热耗非常低。

1019Y处理器的推出对于新一代廉价版超级本的推出具有重要的促进意义,其比目前最便宜的英特尔Y系列处理器还要便宜近一半的价格。019Y处理器是一款双核处理器,主频达到1GHz,此外该款处理器还整合了高清显卡以及高端的“常春藤桥”处理器技术。

MWT是金属穿孔卷绕硅太阳能电池技术的简称,这种技术主要是通过激光穿孔和灌孔印刷技术,将正面发射极的接触电极穿过硅片基体引导至硅片背面。

由于电池正面没有主栅线,电池受光面积增大从而有效的提高了电池的光电转换效率。在组件端,电池片之间均通过背面接触电极与基板连接,减少了焊接环节,这样既降低了焊接碎片率又降低了焊接引起的电阻损耗,从而有效提高了组件输出效率。

值得注意的是,其产品Logo揭露出AMD计划在未来采用ARM架构推出更低功耗的嵌入式处理器。

在DESIGN West大会上AMD发布新款G系列嵌入式系统单芯片,采用代号Jaguar架构的四个CPU核心,整合Radeon 8000系列GPU核心,以及外围I/O控制功能,强调效能较前代产品提升113%,并支持平行处理、高级绘图功能。

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