新的iPDKv4.10支持高性能的0.35μm制程工艺技术，包括C35（CMOS）、S35（SiGe-BiCMOS）以及H35（高压CMOS）。

iPDK包括经过硅验证的完整的数字、模拟及RF器件库、全套低压器件（3.3V和5.0V）和多种栅氧化层厚度的高压器件（10V、20V、50V和120V）。尺寸优化了的高密度数字库适用于3.3V和5V的电压，一系列数字及模拟IO库可用于全部0.35μm制程工艺。

iPDK提供多种仿真器的仿真模型、Calibre、Assura设计验证和自动器件布局生成器（PyCells）。因此产品开发者可以获得即插即用的工具，用自行选择的EDA工具实现一次成型的设计。

创新型FluxLink™磁感耦合技术，并集成同步整流及精确的次级侧控制方式，因此可设计出效率非常高的高可靠性电源，同时无需光耦器。

新款900V InnoSwitch-EPIC内部集成了功率更大的900V的功率MOSFET，在450VAC工业系统应用中可以提供很大的工作电压裕量，从而提高可靠性和使用寿命。新器件可以在最高450VAC的输入电压下连续工作。

900V InnoSwitch-EPIC可以减少BOM元件数目，并省去其性能会随时间下降的光耦器，从而增强了电源的可靠性。

尽可能小的占板空间和低功耗对于小型可穿戴设备的芯片选型尤为重要。增强型NFC安全元件在安全配置和系统设计方面是独一无二的。

提供经相关机构认证的即插即用安全模块，将进一步促进NFC支付在中国及全球市场的普及。

此外，输入欠压/过压保护–作为另外一层可以人为设定的保护措施，在输入电压升至650VAC时可以防止IC进行开关操作，从而可以保护整个电路。对于需要其电源适合全球应用环境的设计师而言，这种灵活性是一项巨大的优势。

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