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在效能和吞吐量方面比不上A76AE具有SMT同步多线程技术

发布时间:2023/7/27 13:25:19 访问次数:34

STM32F103C8T是一个中密度性能线, 配有ARM Cortex-M3 32位微控制器, 48路LQFP封装.它结合了高性能的RISC内核, 运行频率可达72MHz, 以及高速内嵌存储器, 增强范围的强化输入/输出和外部连接至两个APB总线. 

STM32F103C8T6具有12位模数转换器, 计时器, PWM计时器,标准和高级通讯接口. 一套全面的省电模式允许设计者设计低功耗应用.

存储设备或所谓的统一存储器将同时满足三个要求:高速,高密度和非易失性(保留)。在目前,这样的内存尚未开发。

A65AE也拥有split-lock技术,这一点和A76AE一样。虽然在效能和吞吐量方面比不上A76AE,却具有SMT同步多线程技术。

另外,A65AE还进行了相关工艺工程的优化和调整,可以有效地提升运行效率。根据ARM发表的信息来看,如果A65AE和MaliCamera系列图像信号传感器Mali-C71二者结合起来,可以给人更好的自动驾驶体验感。

Cortex-A65AE是ARM首款采用Split-Lock的吞吐量应用类核心。这些内核与Cortex-A76AE(也带有Split-Lock)协同一起,可实现最高的安全水平,同时具有领先的性能和功效。

浮栅非易失性半导体存储器(NVSM)具有高密度和保留能力,但是其编程/擦除速度较低。

DRAM具有高速度(大约10ns)和高密度,但它易失。另一方面,SRAM具有极高的速度(约5ns),但受到极低的密度和挥发性的限制。

PCM将具有比其他新兴技术更好的可伸缩性。

RRAM是类似于PCM的非易失性存储器。该技术概念是使通常绝缘的电介质通过施加足够高电压后形成的灯丝或导电路径导通。


深圳市慈安科技有限公司http://cakj.51dzw.com

STM32F103C8T是一个中密度性能线, 配有ARM Cortex-M3 32位微控制器, 48路LQFP封装.它结合了高性能的RISC内核, 运行频率可达72MHz, 以及高速内嵌存储器, 增强范围的强化输入/输出和外部连接至两个APB总线. 

STM32F103C8T6具有12位模数转换器, 计时器, PWM计时器,标准和高级通讯接口. 一套全面的省电模式允许设计者设计低功耗应用.

存储设备或所谓的统一存储器将同时满足三个要求:高速,高密度和非易失性(保留)。在目前,这样的内存尚未开发。

A65AE也拥有split-lock技术,这一点和A76AE一样。虽然在效能和吞吐量方面比不上A76AE,却具有SMT同步多线程技术。

另外,A65AE还进行了相关工艺工程的优化和调整,可以有效地提升运行效率。根据ARM发表的信息来看,如果A65AE和MaliCamera系列图像信号传感器Mali-C71二者结合起来,可以给人更好的自动驾驶体验感。

Cortex-A65AE是ARM首款采用Split-Lock的吞吐量应用类核心。这些内核与Cortex-A76AE(也带有Split-Lock)协同一起,可实现最高的安全水平,同时具有领先的性能和功效。

浮栅非易失性半导体存储器(NVSM)具有高密度和保留能力,但是其编程/擦除速度较低。

DRAM具有高速度(大约10ns)和高密度,但它易失。另一方面,SRAM具有极高的速度(约5ns),但受到极低的密度和挥发性的限制。

PCM将具有比其他新兴技术更好的可伸缩性。

RRAM是类似于PCM的非易失性存储器。该技术概念是使通常绝缘的电介质通过施加足够高电压后形成的灯丝或导电路径导通。


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