WARP2 600V非穿透型(NPT)IGBT，额定电流分50A、35A和20A三种。新器件的关断性能经特别改良，适用于电信和服务器系统中的大电流、高频开关电源电路。

全新WARP2非穿透IGBT能以高于功率MOSFET的性能价格比，提供理想的性能和效率。

这些IGBT与HEXFRED二极管组合封装，性能高于功率MOSFET中的集成体二极管。新器件采用TO-247及TO-220封装。

最新WARP2 IGBT器件是功率因数校正(PFC)及零电压开关(ZVS)应用系统的最佳选择。器件的通态损耗低于功率MOSFET，可创造更大效益，其拖尾电流极短，能有效工作于150kHz或以下频率。

凭借更高的通信与计算性能、基于硬件的强大安全性、更低的功耗，以及由更高的器件集成度所实现的板级空间的节约，该新型芯片组完全能够支持诸如安全移动商务、多媒体游戏与娱乐、定位服务、媒体流、更高速的Java处理、web浏览、增强的2D图形等新一代应用潮流。

因为该新型芯片组用更少的芯片中集成了更多功能，因此针对移动设备设计的材料清单 (BOM) 将显著减少，从而使移动设备在进入市场时具有更强的竞争力，并为大众消费者提供了无线访问因特网的可能。

四款新型高性能、低功耗GSM/GPRS芯片组解决方案，这些芯片组具有堪称无线行业第一的先进的基于硬件的安全特性，并具有更高的性能和更低的功耗，可满足所有市场领域中的无线移动终端的极具魅力的新型多媒体应用。