五种N沟TrenchFET功率MOSFET器件，目标应用是单/双单元锂离子和锂聚合物电池盒和电路。

器件包括有两个芯片大小的功率MOSFET，每占位面积有低的导通电阻。对于尽可能低的低导通电阻应用，Siliconix公司提供了微小型的Si8900EDB,4.5V栅驱动时导通电阻只有24 m欧姆，二平均占位面积为8.07 mm2.

对于微小型Si8902EDB，4.5V栅驱动时导通电阻只有45 m欧姆，而平均占位面积为3.68 mm2，以用于更小的设计。

低导通电阻有助于延长电池寿命，增加手提设备如手机，PDA和寻呼机等的通话和待机时间.

双向电流测量和累加是由片内的25m欧姆传感电阻或外接器件来实现。DS2761也有可编程的I/O引脚，使主系统能传感和控制电池盒内其它电子，包括开关，振动监视器，扬声器和LED。

DS2761上提供EEPROM，可锁定EEPROM和SRAM，用作电池信息存储。

EEPROM以真正的非易失性的存储器的方式保存电池数据，它受电池严重耗尽，突然短路或ESD事件的影响。可锁定EEPROM，在锁定以提供不变电池数据附加保险时，就变成ROM。SRAM为临时数据提供成本效率的存储解决方案。

MediaQ公司的MQ-1132控制器有嵌入256K字节的全64位图像引擎。它还集成了各种外设的接口和控制器，如USB主接口和设备接口，串行外设接口和32位PCI接口等，能和数码相机，数据存储产品和有蓝牙功能的设备直接相连。这种组合改善了图像的性能，降低系统的功耗。

AMD的闪存器件支持用在高档手机和其它手提设备的54MHz的微处理器，随机存取时间为70ns,同步存取时间为13.5ns。