这些双向20V微占位器件，其尺寸为0.62mm，适合手提设备紧凑的PCB。微占位器件取决于焊接工艺，Siliconix公司开发的专有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外层包装。两种产品Si8900EDB和Si8902EDB的ESD保护达4000V。

为了改善热性能，30-V Si7902EDN双共漏功率MOSFET可用PowerPAK 1212-8封装，其小型体积为1.07mm,占位面积为10.56mm2。Si7902EDN在4.5V栅驱动时，其导通电阻为28 m欧姆，ESD保护为3000V。

共漏器件在充电时能进行保护，防止过流和过压的出现，当电池充满电时防止向交流源放电。

大多数发动机采用花键轴,其中一个两倍宽度的主键保证桨毂仅装在一个位置上。用过艿昵/不过规检查花键磨损,它的尺寸比花键间允许最大尺寸大0.002in(英寸)。

量规在两个键槽之间测量,如有超过20%的键槽插不进去,则说明轴和键均可使用,如有20%以上键槽能插进去,说明曲轴已有过量磨损,必须更换。为确保螺旋桨桨毂在曲轴的中心,前锥和后锥应装在螺旋桨毂的每一侧。用普鲁士蓝检查前、后锥的安装是否正确。初装扭紧后拆下,前、后锥转移到毂上的普鲁士蓝最低需要70%。

DS2761适用在剩余容量估计，安全监视和电池指标数据存储。温度测量用片内的传感器来测量，不需另外的温度计。

通过1线接口，DS2761令主系统存入状态和控制寄存器，仪器寄存器和通用数据存储。每个器件有63位地址，允许由主系统单独地存址，支持多电池操作。

64M位闪存器件，用在手提设备和手机市场，支持几种不同的吞吐量，消耗比其它产品更低的功率。

Am29BDS640G是可以和8M位或16M位SRAM封在一起的多片式封装(MCP)，能使AMD客户设计出更小更轻的终端产品。该器件还有高性能突发模式接口和AMD同时读/写结构以及FlexBank结构。