200V产品用于要求严格的机载和其他高可靠性环境下的电源转换解决方案，它具备超低的导通电阻和极小型化等优势。

200V、25mΩ、80APulsed的耐辐射GaN FET EPC7007。尺寸小至5.76mm2，其总剂量等级大于1 Mrad，线性能量转移（LET）的单一事件效应（SEE）抗扰度为85MeV/(mg/cm2)。与商用eGaN FET和IC系列相同，采用芯片级封装。 封装器件将由EPC Space提供。

与硅解决方案相比，基于氮化镓器件的解决方案可以在更高的总辐射量、SEE 和LET水平下工作。

受益于EPC7007的高性能的应用包括DC/DC电源、电机驱动、激光雷达、深层探测以及用于航天应用、卫星和航空电子设备的离子推进器。

其中，Sentrius BT510是一款多传感器平台，它结合了温度、开关、运动和冲击四项传感功能以及长距离传输（编码PHY）、安全性功能和低功耗蓝牙信标等多项蓝牙5功能。

该模块集成了已得到成熟运用的Laird Connectivity BL654系列长距离传输模块以及Nordic Semiconductor nRF52840 SoC，后者具有强大的处理能力，并且集成了1MB闪存，可通过开发实现功能丰富的应用。

QPA3908和QPA3810为集成式两级PAM，专为大规模MIMO应用而设计，器件输出具有8瓦RMS。QPA3908的工作频率范围为3.7–3.98GHz。QPA3810的工作频率范围为3.4–3.8GHz。两个模块都以50Ω匹配输入/输出，只需少量的外部组件。

Qorvo的5G GaN解决方案可以降低成本并增加容量，在板级上实现了更高的集成度，并降低了复杂性。我们致力于为客户合作伙伴提高效率和线性度。

QPA3908和QPA3810均包含一个驱动器PA和Doherty最终级，以8W平均功率为整个模块提供高功率附加效率。

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