在低至几十至几百瓦的功率下工作时，1700V SiC MOSFET晶体管的优势开始展现。SiC技术是辅助电源（AuxPS）的理想解决方案，几乎所有电力电子系统都使用AuxPS。

1700V SiC MOSFET帮助减轻AuxPS故障的方法之一是利用其高击穿电压、低比导通电阻和快速开关等特性。在这些特性的共同加持下，可极大简化采用单开关反激拓扑的电路设计.

基于硅的解决方案则面临各种问题，包括额定电压对于该拓扑而言过低（这就需要使用双开关架构，导致故障风险加倍），或者需要牺牲性能才能达到额定电压。此外，这类解决方案的供应商数量较少，成本也高于SiC器件。

此类平台包括支持低功耗蓝牙(BLE)、Zigbee和6LoWPAN等协议的无线通信模块。此外，开发环境也支持这些平台，包括可定制固件、Free RTOS和各种用例。

随着额定电压为1700V的功率器件的推出，SiC技术的众多优势已惠及新兴终端设备细分市场，包括电动商用和重型车辆、轻轨牵引和辅助动力、可再生能源以及工业传动等领域。

超声换能器通常采用PZT陶瓷制成。换能器将电压信号转换为超声波进入人体，同时接收人体组织产生的回波。回波转换成微小电压信号，并传输至发射/接收(T/R)开关。

超声系统提供不同类型的成像模式，每种成像模式对动态范围有不同的要求。这也意味着，SNR或噪声要求取决于不同的成像模式。黑白模式需要70dB动态范围，脉冲波多普勒(PWD)模式需要130dB，连续波多普勒(CWD)模式需要160dB。

对于黑白模式，本底噪声非常重要，它会影响在远场能够看到的最小超声回波的最大深度，也就是穿透，这是黑白模式的关键指标之一。

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