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电子控制单元(ECU)数量正逐渐减少支持瞬态电压高达45V

发布时间:2022/11/8 8:45:14 访问次数:93

BHI260AP自学习AI智能传感器。BHI260AP是全球率先用于可穿戴和耳戴设备的自学习人工智能传感器,它将六轴惯性测量单元(IMU)、32位用户可编程微控制器和软件功能集成在一个系统级封装(SiP)解决方案中。

Bosch BHI260AP自学习AI智能传感器提供使用自学习AI软件的嵌入式边缘人工智能,包括健身跟踪、导航(行人定位)、机器学习分析以及相对和绝对方向估计。

BHI260AP上集成的传感器是一个六自由度(6DoF)IMU,其中包含一个16位三轴加速度计和一个16位三轴陀螺仪。主机接口可配置为SPI或I2C,共有两个主接口(一个可选的SPI/I2C和一个I2C),并且最多有12个GPIO。

NSR31/33/35系列LDO芯片,专为汽车电池为系统供电的应用场景而设计,具有3V至40V的宽输入电压,支持瞬态电压高达45V。

在现代汽车架构中,电子控制单元(ECU)的数量正逐渐减少,只剩下负责前桥、后桥和车身控制的高性能、功能丰富的ECU。

CFP2-HP(铜夹片粘合FlatPower)封装。提供标准版和AECQ-101版,其中包括45V、60V和100V Trench肖特基整流二极管(带1A和2A选项),例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2A的Trench肖特基整流二极管。

全局快门传感器拥有很好的灵敏度且体积小巧,简化了DMS系统硬件设计,降低了系统总体成本,让客户和合作伙伴能够提供高性能、可靠的符合法规的DMS系统。

新全局快门传感器VB56G4A充分利用自有的背照式3D堆叠(BSI-3D)图像传感器先进制造技术。与第一代DMS常用的传统前照式(FSI)传感器相比,背照式解决方案的感光更灵敏,尺寸更小,可靠性更高。

100V、2.2mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。


来源:eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考

BHI260AP自学习AI智能传感器。BHI260AP是全球率先用于可穿戴和耳戴设备的自学习人工智能传感器,它将六轴惯性测量单元(IMU)、32位用户可编程微控制器和软件功能集成在一个系统级封装(SiP)解决方案中。

Bosch BHI260AP自学习AI智能传感器提供使用自学习AI软件的嵌入式边缘人工智能,包括健身跟踪、导航(行人定位)、机器学习分析以及相对和绝对方向估计。

BHI260AP上集成的传感器是一个六自由度(6DoF)IMU,其中包含一个16位三轴加速度计和一个16位三轴陀螺仪。主机接口可配置为SPI或I2C,共有两个主接口(一个可选的SPI/I2C和一个I2C),并且最多有12个GPIO。

NSR31/33/35系列LDO芯片,专为汽车电池为系统供电的应用场景而设计,具有3V至40V的宽输入电压,支持瞬态电压高达45V。

在现代汽车架构中,电子控制单元(ECU)的数量正逐渐减少,只剩下负责前桥、后桥和车身控制的高性能、功能丰富的ECU。

CFP2-HP(铜夹片粘合FlatPower)封装。提供标准版和AECQ-101版,其中包括45V、60V和100V Trench肖特基整流二极管(带1A和2A选项),例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2A的Trench肖特基整流二极管。

全局快门传感器拥有很好的灵敏度且体积小巧,简化了DMS系统硬件设计,降低了系统总体成本,让客户和合作伙伴能够提供高性能、可靠的符合法规的DMS系统。

新全局快门传感器VB56G4A充分利用自有的背照式3D堆叠(BSI-3D)图像传感器先进制造技术。与第一代DMS常用的传统前照式(FSI)传感器相比,背照式解决方案的感光更灵敏,尺寸更小,可靠性更高。

100V、2.2mΩ的氮化镓场效应晶体管(EPC2071),为设计工程师提供比硅MOSFET更小、更高效的器件,用于高性能、占板面积受限的应用。


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