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高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器照明器件高度低至2.3mm

发布时间:2022/10/29 21:49:45 访问次数:62

SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超结技术,10V条件下典型导通电阻仅为0.045Ω,比PowerPAK 8x8封装器件低27%,从而提高了额定功率,支持≥3kW的各种应用,同时器件高度低至2.3mm,增加了功率密度。

此外,MOSFET的PowerPAK 10x12封装具有任何表面贴装的出色热性能,最大结-壳热阻额定值为0.45°C/W。SiHK045N60EF热阻抗比PowerPAK 8x8封装器件低31%。

日前发布的MOSFET符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值 100%通过UIS测试。

薄型PowerPAK®10x12封装的新型第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。

Vishay Siliconix n沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29%,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降60%,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。

MOSFET技术以支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。

Credo凭借其独特的SerDes设计,能够为管理PB级信息的客户(如超大数据中心)提供业界领先的性能、能效和成本优势。随着客户对网络速率需求的急剧增长, 交付1.6Tbps容量的产品已成为必要。

典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。

Display Computing – CRYSTAL产品线中的显示模块依据功能性可分为三大系列,包含适合室内HMI应用的CV-100系列,满足户外高亮度需求的CS-100系列以及能与多种机柜结合的开放式架构CO-100系列。

112G LR(长距)数字信号处理Retimer芯片,芯片容量高达1.6Tbps。通过支持1.6T、800G、400G、100G及最低至10G的多种端口速率,Screaming Eagle可以满足超级数据中心、企业、5G运营商和网络服务提供商等诸多客户的海量数据传输需求。

来源:.eepw.如涉版权请联系删除。图片供参考

SiHK045N60EF基于Vishay高能效E系列超结技术,10V条件下典型导通电阻仅为0.045Ω,比PowerPAK 8x8封装器件低27%,从而提高了额定功率,支持≥3kW的各种应用,同时器件高度低至2.3mm,增加了功率密度。

此外,MOSFET的PowerPAK 10x12封装具有任何表面贴装的出色热性能,最大结-壳热阻额定值为0.45°C/W。SiHK045N60EF热阻抗比PowerPAK 8x8封装器件低31%。

日前发布的MOSFET符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,耐受雪崩模式过压瞬变,并保证极限值 100%通过UIS测试。

薄型PowerPAK®10x12封装的新型第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。

Vishay Siliconix n沟道SiHK045N60EF导通电阻比前代器件降低29%,为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案,同时栅极电荷下降60%,从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中600V MOSFET的重要优值系数(FOM)创业界新低。

MOSFET技术以支持各级功率转换,涵盖高压输入到低压输出的各种高科技系统。

Credo凭借其独特的SerDes设计,能够为管理PB级信息的客户(如超大数据中心)提供业界领先的性能、能效和成本优势。随着客户对网络速率需求的急剧增长, 交付1.6Tbps容量的产品已成为必要。

典型应用包括边缘计算和数据存储、不间断电源、高强度放电(HID)灯和荧光灯镇流器照明、太阳能逆变器、焊接设备、感应加热、电机驱动和电池充电器。

Display Computing – CRYSTAL产品线中的显示模块依据功能性可分为三大系列,包含适合室内HMI应用的CV-100系列,满足户外高亮度需求的CS-100系列以及能与多种机柜结合的开放式架构CO-100系列。

112G LR(长距)数字信号处理Retimer芯片,芯片容量高达1.6Tbps。通过支持1.6T、800G、400G、100G及最低至10G的多种端口速率,Screaming Eagle可以满足超级数据中心、企业、5G运营商和网络服务提供商等诸多客户的海量数据传输需求。

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