第四代PCIe规格设计，与上一代解决方案相比，数据流通性能实现了翻番。另外，此系列解决方案提供M.2 2280和U.2(SFF-8639)两种尺寸，以适应不同需求。

为了适应各种工业应用场景，SQFlash还提供了不同类型的常规性能、密集型读功能、多功能设计选择等，使边缘存储设备能够跟上大量不同类型的实时流传输数据源。

此外，MOSFET超低栅极电荷降至70nC。器件的FOM为3.15Ω*nC，比同类中最接近的MOSFET竞品低2.27%。这些参数表明导通和开关损耗降低，从而节省能源提高能效。器件满足服务器电源钛效率的特殊要求，或通信电源达到98%的峰值效率。

SiHK045N60EF有效输出电容Co(er)和Co(tr)分别仅为171 pf和1069pF，可改善零电压开关(ZVS)拓扑结构开关性能，如LLC谐振转换器。器件的Co(tr)比同类中最接近的MOSFET竞品低8.79%，而其快速体二极管的Qrr低至0.8μC，有助于提高桥式拓扑结构的可靠性。

医疗隔离等级为2MOPP

输入/输出隔离为4KV

适应于医疗浮体(BF)应用

空载时功耗低

通用输入电压范围为85至264VAC

5年保修