新UF4C/SC系列的亮点就在于下表中出色的SiC FET性能表征：

所有RDS(on)产品(23、30、53和70毫欧)都采用行业标准4引脚开尔文源极TO-247封装，在较高的性能等级下提供更清洁的开关。53和70毫欧器件还采用TO-247 3引脚封装。

该系列零件在控制得当的热性能基础上实现了出色的可靠性，这种热性能是先进的银烧结晶粒连接方式和先进的晶圆减薄工艺带来的结果。

FET-Jet CalculatorTM是一种免费的在线设计工具，包含了所有的1200V SiC FET，可以立即评估各种交直流和隔离/非隔离直流转换器拓扑中所用器件的能效、组件损耗和结温上升。

单机仪表频率高达54GHz，单机的带宽可达到2.5GHz，单机通道数可以提供4通道的信号输出，从信号的纯度（相位噪声、EVM调制质量、ACPR等硬性指标）都有了全新的提升。

Archer.5专为可用空间非常有限的应用而设计，是电路板、堆栈或PCB连接器的完美选择，其应用领域包括紧凑型控制和监控设备、嵌入式计算、传感器模块、摄像头/激光雷达单元和物联网连接设备等。

SiC器件比硅前辈具有明显的优势，包括增强高频能效、更低的EMI、能在更高温度下工作和更可靠。 垂直集成能力的SiC方案供应商，包括SiC晶球生长、衬底、外延、晶圆制造、同类最佳的集成模块和分立封装解决方案。

NTBL045N065SC1是首款采用TOLL封装的 SiC MOSFET，适用于要求严苛的应用，包括开关电源 (SMPS)、服务器和电信电源、太阳能逆变器、不间断电源(UPS)和储能。 该器件适用于需要满足最具挑战性的能效标准的设计，包括 ErP和80 PLUS Titanium能效标准。

NTBL045N065SC1的VDSS额定值为650V，典型RDS(on)仅为33mΩ，最大电耗(ID)为73A。

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