十八种新型N沟MOSFET，它封装在业界第一个无底封装，结合了比TO-263(D2-PAK)好得多的热性能和很低的导通电阻的优点。

这种先进的无底封装有以下的优点：由于降低了芯片温度，可靠性和效率都更好.由于更低封装热阻，效率更高.每PCB面积有更高的电流能力.由于更低的封装电感和更低的栅电阻，降低开关时间.标准的SO-8封装，占位和出脚都兼容。

这十八种新产品包括用于48V通信中的DC/DC变换的150V MOSFET的两种，200V的两种V；用于正向DC/DC变换和半桥变换器的40V的六种；用在计算机和同步整流器中的20V的四种和30V的四种。是20V和30V MOSFET的主要性能。

该器件集成了精密温度，电压和电流测量，非易失性的(NV)数据存储，锂离子电池保护等功能，TSSOP封装或倒装式芯片封装。DS2761适用在剩余容量估计，安全监视和电池指标数据存储。温度测量用片内的传感器来测量，不需另外的温度计。

通过1线接口，DS2761令主系统存入状态和控制寄存器，仪器寄存器和通用数据存储。每个器件有63位地址，允许由主系统单独地存址，支持多电池操作。

双向电流测量和累加是由片内的25m欧姆传感电阻或外接器件来实现。

DS2761也有可编程的I/O引脚，使主系统能传感和控制电池盒内其它电子，包括开关，振动监视器，扬声器和LED。DS2761上提供EEPROM，可锁定EEPROM和SRAM，用作电池信息存储。

AMD的闪存器件支持用在高档手机和其它手提设备的54MHz的微处理器，随机存取时间为70ns,同步存取时间为13.5ns。

MediaQ公司的MQ-1132控制器有嵌入256K字节的全64位图像引擎。它还集成了各种外设的接口和控制器，如USB主接口和设备接口，串行外设接口和32位PCI接口等，能和数码相机，数据存储产品和有蓝牙功能的设备直接相连。这种组合改善了图像的性能，降低系统的功耗。