双向Si6876EDQ功率MOSFET在4.5V栅驱动时导通电阻30m欧姆
发布时间:2022/9/17 18:21:36 访问次数:74
64M位闪存器件，用在手提设备和手机市场，支持几种不同的吞吐量，消耗比其它产品更低的功率。
Am29BDS640G是可以和8M位或16M位SRAM封在一起的多片式封装(MCP)，能使AMD客户设计出更小更轻的终端产品。该器件还有高性能突发模式接口和AMD同时读/写结构以及FlexBank结构。
EEPROM以真正的非易失性的存储器的方式保存电池数据，它受电池严重耗尽，突然短路或ESD事件的影响。可锁定EEPROM，在锁定以提供不变电池数据附加保险时，就变成ROM。SRAM为临时数据提供成本效率的存储解决方案。
C64xTMDSP基础性能及指令集的增强为新兴视频基础结构应用提供了最佳的选择。
NVDK板还采用了多种网络接口，以满足日益增长的连接需求。传输控制协议/因特网协议(TCP/IP)栈可在C6000 DSP上运行，从而使之在没有网络处理器及相关软件的情况下也可连通网络，从而降低了总体系统成本。
TCP/IP栈软件可提供足够的性能空间、灵活性以及易于集成且符合API等特点。
微占位器件取决于焊接工艺，Siliconix公司开发的专有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外层包装。两种产品Si8900EDB和Si8902EDB的ESD保护达4000V。
墙上适配器需要30V的器件，双向的Si6876EDQ功率MOSFET在4.5V栅驱动时导通电阻为30m欧姆，其封装为TSSOP-8。如果要用更低的电压，20-V Si6880EDQ的导通电阻在4.5V栅驱动时为18m欧姆，也可工作到低于1.8V, 其封装也是TSSOP-8。两种器件的ESD保护为4000V。
Si7902EDN在4.5V栅驱动时，其导通电阻为28m欧姆，ESD保护为3000V。
64M位闪存器件，用在手提设备和手机市场，支持几种不同的吞吐量，消耗比其它产品更低的功率。
Am29BDS640G是可以和8M位或16M位SRAM封在一起的多片式封装(MCP)，能使AMD客户设计出更小更轻的终端产品。该器件还有高性能突发模式接口和AMD同时读/写结构以及FlexBank结构。
EEPROM以真正的非易失性的存储器的方式保存电池数据，它受电池严重耗尽，突然短路或ESD事件的影响。可锁定EEPROM，在锁定以提供不变电池数据附加保险时，就变成ROM。SRAM为临时数据提供成本效率的存储解决方案。
C64xTMDSP基础性能及指令集的增强为新兴视频基础结构应用提供了最佳的选择。
NVDK板还采用了多种网络接口，以满足日益增长的连接需求。传输控制协议/因特网协议(TCP/IP)栈可在C6000 DSP上运行，从而使之在没有网络处理器及相关软件的情况下也可连通网络，从而降低了总体系统成本。
TCP/IP栈软件可提供足够的性能空间、灵活性以及易于集成且符合API等特点。
微占位器件取决于焊接工艺，Siliconix公司开发的专有的焊接方法，功率MOSFET芯片就不需要外层包装。两种产品Si8900EDB和Si8902EDB的ESD保护达4000V。
墙上适配器需要30V的器件，双向的Si6876EDQ功率MOSFET在4.5V栅驱动时导通电阻为30m欧姆，其封装为TSSOP-8。如果要用更低的电压，20-V Si6880EDQ的导通电阻在4.5V栅驱动时为18m欧姆，也可工作到低于1.8V, 其封装也是TSSOP-8。两种器件的ESD保护为4000V。
Si7902EDN在4.5V栅驱动时，其导通电阻为28m欧姆，ESD保护为3000V。
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