线性衰减至70°C下输出32.5W在智能门锁消费设备中应用
发布时间:2022/7/23 23:35:38 访问次数:99
一款220万像素全局快门式可见光和近红外(NIR)图像传感器--- Mira220,具有最新的2D和3D传感系统所需的低功耗和小尺寸特点,适用于虚拟现实(VR)头盔、智能眼镜、无人机及其它消费及工业应用。
Mira220是流水线式高灵敏度全局快门图像传感器Mira系列的最新产品。
在Mira220中采用了背照(BSI)技术和堆叠式芯片设计,传感器层位于数字/读出层之上。Mira220生产可实现芯片级封装,尺寸仅为5.3mmx5.3mm,为制造商优化智能眼镜和VR头盔等空间受限产品的设计提供了更大的自由度。
Mira220将推动2D或3D传感在增强现实和虚拟现实产品、无人机、机器人和自动驾驶汽车等工业应用以及在智能门锁等消费设备中的应用。
MIS65系列有医疗器械需要的医疗认证(IEC/UL/EN60601-1),同时也满足工业应用需要的IEC62368-1标准。Class I (接地连接)和Class II(不接地)均通过B级传导和辐射测试。
该系列产品尺寸小巧,仅为76.2mmx50.8mmx25.4mm,输出功率最大达65W(自然通风),宽范围交流输入(85V-264Vac),转换效率高达93%,提供单路输出电压包括12V,15V,18V,24V,36V,48V,工作温度范围-10°C到70°C,其中满载输出工作温度到50°C,随后线性衰减至70°C下输出32.5W,工作海拔5000米。
Mira220功耗极低,睡眠模式下仅为4mW,待机模式下为40mW,在全分辨率和90fps下功耗为350mW。因此,可穿戴设备和便携式设备制造商能够指定使用较小的电池来节省空间,或延长充电后的使用时间。
TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET),典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。
Transphorm是当前提供标准TO-XXX封装的高压氮化镓器件的唯一氮化镓供应商。值得注意的是,鉴于其固有的栅极损坏敏感性,这些封装产品不支持替代性的增强型氮化镓技术。
一款220万像素全局快门式可见光和近红外(NIR)图像传感器--- Mira220,具有最新的2D和3D传感系统所需的低功耗和小尺寸特点,适用于虚拟现实(VR)头盔、智能眼镜、无人机及其它消费及工业应用。
Mira220是流水线式高灵敏度全局快门图像传感器Mira系列的最新产品。
在Mira220中采用了背照(BSI)技术和堆叠式芯片设计,传感器层位于数字/读出层之上。Mira220生产可实现芯片级封装,尺寸仅为5.3mmx5.3mm,为制造商优化智能眼镜和VR头盔等空间受限产品的设计提供了更大的自由度。
Mira220将推动2D或3D传感在增强现实和虚拟现实产品、无人机、机器人和自动驾驶汽车等工业应用以及在智能门锁等消费设备中的应用。
MIS65系列有医疗器械需要的医疗认证(IEC/UL/EN60601-1),同时也满足工业应用需要的IEC62368-1标准。Class I (接地连接)和Class II(不接地)均通过B级传导和辐射测试。
该系列产品尺寸小巧,仅为76.2mmx50.8mmx25.4mm,输出功率最大达65W(自然通风),宽范围交流输入(85V-264Vac),转换效率高达93%,提供单路输出电压包括12V,15V,18V,24V,36V,48V,工作温度范围-10°C到70°C,其中满载输出工作温度到50°C,随后线性衰减至70°C下输出32.5W,工作海拔5000米。
Mira220功耗极低,睡眠模式下仅为4mW,待机模式下为40mW,在全分辨率和90fps下功耗为350mW。因此,可穿戴设备和便携式设备制造商能够指定使用较小的电池来节省空间,或延长充电后的使用时间。
TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET),典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。
Transphorm是当前提供标准TO-XXX封装的高压氮化镓器件的唯一氮化镓供应商。值得注意的是,鉴于其固有的栅极损坏敏感性,这些封装产品不支持替代性的增强型氮化镓技术。