SiC MOSFET相较于Si MOS和IGBT能够显著提高变换器的效率和功率密度，同时还能够降低系统成本，受到广大电源工程师的青睐，越来越多的功率变换器采用基于SiC MOSFET的方案。

SiC MOSFET开关速度快，开关过程中栅极电压更容易发生震荡，如果震荡超过其栅极耐压能力，则有可能导致器件栅极可靠性退化或直接损坏。

很多电源工程师刚刚接触SiC MOSFET不久，往往会在驱动电压测量上遇到问题，即测得的驱动电压震荡幅值较大、存在与理论不相符的尖峰，导致搞不清楚是器件的问题还是电路设计的问题，进而耽误开发进度。

高压差分探头的为差分输入且输入阻抗高，在电源开发过程中一般都会选择它来测量驱动波形。

有时在使用高压差分探头时获得的驱动波形显得非常粗，这往往是由于高压差分探头的衰减倍数过大导致的。衰减倍数大，高压差分探头的量程就大，使得分辨率大幅下降，同时示波器在还原信号时还会将噪声放大。此时就需要选择衰减倍数较小的高压差分探头或选择高压差分探头衰减比较小的档位。

高压差分探头测量驱动电压，衰减倍数分别选择50倍和500倍，可以明显到500倍衰减倍数下驱动波形非常粗。

传统的电源技术已经很难满足应用需求，采用LLC谐振变换技术来实现高电源开关效率的方式被广泛应用，250W LLC谐振直流变换器开发板方案。该方案具有高集成度，有助于客户提高功率密度与能效。

射频电源传输解决方案，该方案结合了先进的数字控制电源和精确的数字阻抗匹配网络。针对薄膜工业应用设计的ALTA™平台具有超强适应能力及控制精确性和重复性,增强了工艺稳定性并提供最佳产能。

新颖独特的蝶形设计可改善操控性。这确保了对Arduino连接器的访问是用户友好的，并减少了来自电磁影响的潜在干扰，尤其是使用RF IoT Arduino屏蔽。