沟槽式栅极结构将导通电阻降低50%传输速率38.4kbps
发布时间:2022/4/28 8:59:03 访问次数:710
碳化硅、氮化镓器件市场已经初具规模,在功率和射频应用领域完成了对硅基半导体器件的初步替代。但由于材料制备技术、器件制造与封装工艺、动静态测试、驱动设计优化以及可靠性等问题尚未完全解决,导致第三代半导体器件的性能大打折扣,无法完全发挥其材料本身的优势。
TO-263-7L表贴封装,将电源源极与驱动器源极引脚分离开,可提供独立于电源的驱动器源,有效消除了导通时源极电感对栅极电压的影响。
导通时,电流变化时间缩减,导通损耗降低;关断时,寄生电感减少,关断损耗也相应降低。此外,SCT3080KW7TL专有的沟槽式栅极结构将导通电阻降低了50%,输入电容降低了35%。
芯片组关键特性与优势:
终端应用可连接至作为外设的无线链路,从而掩盖了应用中跳频系统的复杂实施细节;
快速跳频不仅降低了功耗,而且还实现了更短的捕获时间,捕获50个通道仅需70毫秒;
两种参考设计:高功率发送+23dBm范围长达1英里,而低功率发送+7dBm的范围达0.2英里;
两种参考设计的灵敏度均为-101dBm;
空中传输速率为38.4kbps;
温度范围为-40oC---+85oC。
ATA 2200规范随着信息技术的发展,手册由纸制版变为电子版,美国航空运输协会发布了“数字化数
据规范ATA 2100”,它采用SGML语言,规定了图解、数据的提取、数据的模式等。将ATA 100和ATA 2100两种规范合并形成ATA 2200规范。
碳化硅、氮化镓器件市场已经初具规模,在功率和射频应用领域完成了对硅基半导体器件的初步替代。但由于材料制备技术、器件制造与封装工艺、动静态测试、驱动设计优化以及可靠性等问题尚未完全解决,导致第三代半导体器件的性能大打折扣,无法完全发挥其材料本身的优势。
TO-263-7L表贴封装,将电源源极与驱动器源极引脚分离开,可提供独立于电源的驱动器源,有效消除了导通时源极电感对栅极电压的影响。
导通时,电流变化时间缩减,导通损耗降低;关断时,寄生电感减少,关断损耗也相应降低。此外,SCT3080KW7TL专有的沟槽式栅极结构将导通电阻降低了50%,输入电容降低了35%。
芯片组关键特性与优势:
终端应用可连接至作为外设的无线链路,从而掩盖了应用中跳频系统的复杂实施细节;
快速跳频不仅降低了功耗,而且还实现了更短的捕获时间,捕获50个通道仅需70毫秒;
两种参考设计:高功率发送+23dBm范围长达1英里,而低功率发送+7dBm的范围达0.2英里;
两种参考设计的灵敏度均为-101dBm;
空中传输速率为38.4kbps;
温度范围为-40oC---+85oC。
ATA 2200规范随着信息技术的发展,手册由纸制版变为电子版,美国航空运输协会发布了“数字化数
据规范ATA 2100”,它采用SGML语言,规定了图解、数据的提取、数据的模式等。将ATA 100和ATA 2100两种规范合并形成ATA 2200规范。