位置:51电子网 » 技术资料 » 显示光电

电磁波频率提高100倍高达1.6Gbps的高速DDR4接口能力

发布时间:2022/4/28 13:03:49 访问次数:166


中等密度FPGA的预期资源,包括多达461k逻辑元件、多达1,420个18x18数学块、多达33Mb的用户SRAM、8个完全可配置的PLL、高达1.6Gbps的高速DDR4接口能力,以及带有两个硬连线PCIe Gen2端点/根端口,以高达12.7Gbps的数据速率运行的多协议收发器。

它采用成熟的低功耗SONOS 28nm工艺制造,可实现显著的低功耗。

五个内核都以高达625MHz的速度运行。直接处理器I/O功能包括两个千兆以太网控制器、一个USB 2.0 On-The-Go控制器和两个CAN接口。


维修文件的有效性,任何维修文件都有有效性(Effectivity),也就是此文件的适用性,即该维修文件是针对哪种机型制定的,对哪些飞机有效。

手册的客户化首先引人一个概念―――机队(Fleet)。一般来说同一个运营商购买的同一机型的飞机构成一个机队,针对某一机队或该机队某些飞机有效的维修文件称为客户化手册(Customized Manuals);

飞机型别号码每一种手册为了防止混淆对应飞机的有效性,在手册的前言(Front Mattcr)部分记录了该手册所能适用的机队所有飞机的各种号码,如:注册登记号,序列号。

在氧化镓材料制备中,可通过掺杂电荷载流子提高氧化镓材料的导电性。在掺杂过程中,还可向晶体添加定量杂质,从而控制半导体电荷载流子浓度。


利用离子注入、退火等工艺,在晶体中添加或消除自由电子,进而使电荷可以自由移动。另一方,在离子注入和外延生长期间,氧化镓材料能够更精确地定义晶体管尺寸,并生成各种器件拓扑结构。

氧化镓制备需要配备贵金属铱容器来加热熔化原材料,从而产生氧化镓结晶。抛开结晶质量不稳定等问题,制造直径为15厘米的氧化镓结晶以水冷后的铜质容器替代贵金属铱容器,同时将电磁波频率提高100倍,即可熔化得到约5厘米氧化镓结晶,极大地降低了制造成本,提高了成品率。



中等密度FPGA的预期资源,包括多达461k逻辑元件、多达1,420个18x18数学块、多达33Mb的用户SRAM、8个完全可配置的PLL、高达1.6Gbps的高速DDR4接口能力,以及带有两个硬连线PCIe Gen2端点/根端口,以高达12.7Gbps的数据速率运行的多协议收发器。

它采用成熟的低功耗SONOS 28nm工艺制造,可实现显著的低功耗。

五个内核都以高达625MHz的速度运行。直接处理器I/O功能包括两个千兆以太网控制器、一个USB 2.0 On-The-Go控制器和两个CAN接口。


维修文件的有效性,任何维修文件都有有效性(Effectivity),也就是此文件的适用性,即该维修文件是针对哪种机型制定的,对哪些飞机有效。

手册的客户化首先引人一个概念―――机队(Fleet)。一般来说同一个运营商购买的同一机型的飞机构成一个机队,针对某一机队或该机队某些飞机有效的维修文件称为客户化手册(Customized Manuals);

飞机型别号码每一种手册为了防止混淆对应飞机的有效性,在手册的前言(Front Mattcr)部分记录了该手册所能适用的机队所有飞机的各种号码,如:注册登记号,序列号。

在氧化镓材料制备中,可通过掺杂电荷载流子提高氧化镓材料的导电性。在掺杂过程中,还可向晶体添加定量杂质,从而控制半导体电荷载流子浓度。


利用离子注入、退火等工艺,在晶体中添加或消除自由电子,进而使电荷可以自由移动。另一方,在离子注入和外延生长期间,氧化镓材料能够更精确地定义晶体管尺寸,并生成各种器件拓扑结构。

氧化镓制备需要配备贵金属铱容器来加热熔化原材料,从而产生氧化镓结晶。抛开结晶质量不稳定等问题,制造直径为15厘米的氧化镓结晶以水冷后的铜质容器替代贵金属铱容器,同时将电磁波频率提高100倍,即可熔化得到约5厘米氧化镓结晶,极大地降低了制造成本,提高了成品率。


热门点击

 

推荐技术资料

按钮与灯的互动实例
    现在赶快去看看这个目录卞有什么。FGA15N120AN... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13692101218  13751165337
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!