MOSFET和高侧/低侧栅极驱动器，并且要评估将所有这些部分集成到一个健壮的系统中并有效地实施它需要彻底了解系统的损失机制，以及如何平衡权衡。

48V系统中的损耗机制、高侧和低侧栅极驱动器的设计权衡、寄生电感/电容以及印刷电路板(PCB)布局注意事项,48V逆变器系统的功率级。它包括三个MOSFET半桥和相应的高侧和低侧栅极驱动器。

给定选定的功率MOSFET和系统额定功率，传导损耗是预先确定的，因为与电流纹波相关的均方根(RMS)电流是由电机预先确定的。然而，开关损耗取决于栅极驱动器设计。

用户不再需要查看来确认自己的输入，从而降低了认知负荷。同时，集成的力感测技术可以拒绝错误的触摸数据，提高了输入精度。

NexusTouch™触觉平台将启用压电按钮手势检测,从而将手机侧面变成智能触摸表面。

这些智能边缘可以适应用户的活动，并为每位客户提供“定制的”体验,可以是更接近专业消费者DSLR相机的产品，或者单纯成为功能更强大的智能手机。

Vdd范围为4.5V至18V，使其能够涵盖使用12V或15V继电器驱动的应用。

输入引脚阈值基于TTL(晶体管-晶体管逻辑)和CMOS（互补金属氧化物半导体）兼容的低压逻辑，该逻辑是固定的且独立于电源轨电压。这允许直接连接到微处理器，并提供必要的电平转换来驱动继电器。

UCC27524A来驱动像K100这样的双线圈锁存继电器。

应用范围 一般用于传递功率小于50kW,带速5~25m/s,传动比f不大(平带j≤3,Ⅴ带j≤7),且不要求准确的场合齿轮传动.