光刻机的架构及技术很复杂，不过决定光刻机分辨率的主要因素就是三点，分别是常数K、光源波长及物镜的数值孔径，波长越短，分辨率就越高，现在的EUV光刻机使用的是极紫外光EUV，波长13.5nm，可以用于制造7nm及以下的先进工艺工艺。

开发制造芯片的光刻机，而且号称要达到EUV级别，但技术原理完全不同，他们研发的是基于同步加速器和/或等离子体源”的无掩模X射线光刻机。

X射线光刻机使用的是X射线，波长介于0.01nm到10nm之间，比EUV极紫外光还要短，因此光刻分辨率要高很多。X射线光刻机相比现在的EUV光刻机还有一个优势，那就是不需要光掩模版，可以直写光刻。

这种传感器的常用构造方法包括将铂丝绕在玻璃或陶瓷骨架上，或使用铂薄膜制造。

由于铂温度传感器的广泛应用和可互换性需求，国际标准 DIN EN 60751 (2008) 详细定义了铂温度传感器的电气特性。该标准包含电阻-温度表格、容差、曲线和温度范围。

环路中的位置接口向控制器提供转速和位置信息。对于装配微型表贴PCB的装配机器来说，这些数据是其正常运行的关键。这些应用都需要获取关于旋转对象的准确位置测量信息。

位置传感器的分辨率必须非常高,足以准确检测电机轴的位置，拿取对应的微型组件，并将组件放置到板上的对应位置.此外，电机转速越高，所需的环路带宽越高，延迟越低。