三星曾计划在去年年末量产176层NAND，但目前已经推迟到了今年第一季度。

对比三星的NAND技术，美光稍稍领先，已经开始量产176层NAND。三星加快200层以上NAND闪存量产的部分，也是为了夺回被美光夺走的技术领先地位。三星将在128层的单片存储器上叠加96层，推出224层的NAND闪存。与176层相比，224层NAND闪存的生产效率和数据传输速度将提高30%。

在技术研发上，SK海力士和美光也毫不退让。在2019年SK海力士发布的技术路线图中，SK海力士2020年计划实现176层研发。

据外媒报导，截至去年第三季，英伟达预付款已达69亿美元，去年第四季再支付16.4亿美元，截至今年第一季累计已支付超过100亿美元，以确保RTX 4080、4090及其他RTX 40系列5纳米产能。

英飞凌IGBT芯片和IGBT模组的市场份额分别为29.3%和36.5%，远超第二名富士电机15.6%和11.4%的市场份额。至于IPM产品，英飞凌的市场份额为11.6%，排在三菱和安森美之后。

英飞凌的IPC部门主要包括IGBT芯片及模组与IPM（智能功率模块）产品。

当一个线程获得某个互斥锁后,需要等待某个条件变为真,也就是该线程可以等待在某个条件变量(类型为pthreadcondt）上。该条件变量由另外某个线程向它发送信号,通常以广播方式(pthreadcondbroadcaSt）唤醒所有等待状态的线程。