MRAM已经在通信、军事、数码产品上有了一定的应用。2008年，日本的卫星系统就宣布使用了飞思卡尔的MRAM来替换其所有的闪存元件。

2018年的国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔展示了嵌入式MRAM在逻辑芯片制造中的新技术。

嵌入式 MRAM可在200℃下保持10年的记忆期，称之为“首款基于FinFET的MRAM技术”。2019年，英特尔宣布其MRAM已经做好了量产准备，使用22nm FFL FinFET技艺，同年Everspin也宣布旗下的1G MRAM存储芯片进入试生产阶段。

12bit ECC具有显著的优势：

整机成本比市面其他方案节省3美金以上；

容错能力强，FLASH的使用寿命更长；同时，需要12bit ECC技术支持的FLASH，均采用3x纳米的工艺研发而成，在同样面积的晶圆上能生产出更多的FLASH颗粒，所以每颗FLASH的成本相对降低。

兼容8bit ECC的功能；

替代更方便。

这两方面大数据信息流最终通过互联网在智能设备之间传递，由智能设备进行分析、判断、决策、调整、控制并继续开展智能生产，生产出高品质的个性化产品。

也是在这一年，总部位于波士顿的公司Allied Minds正式成立了STT公司，以这项技术命名，该公司开始营运。2016年9月，STT开发出OST-MRAM技术并在加利福尼亚州总部的晶圆厂制作出20nm的垂直 MRAM 磁穿隧接面（pMTJ）。

这两款DSP不足340μW待机功耗与不足0.3mW/MHz的工作功耗,可将电池使用寿命延长超过40%。

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