单点平均故障间隔时间单转换器技术频率比以往增加5倍
发布时间:2022/1/25 12:17:13 访问次数:382
ATF-52189和ATF-53189采用E-pHEMT工艺,具有杰出的性能一致性及300年以上的单点平均故障间隔时间 (MTTF).这些器件采用无引线封装,额定的潮湿灵敏度等级为1级(MSL1)。
单电压操作的E-pHEMT器件的厂商。由于其单电压操作、高效率和杰出的RF性能特点,安捷伦E-pHEMT器件成为了取代噪声系数更高的单电压HBT (异质结两极晶体管)及传统的双电压PHEMT和GaAs HFET(异质结构FET)器件的必然选择。
抖动性能低于250 ps(峰值),低于其它竞争产品两倍之多。
78M6612 OMU芯片是以公司的单转换器技术为基础,集成了22位Δ-Σ ADC、4模拟输入、数字温度补偿和高精度基准电压。
在最宽广的温度范围内(-40至 +125℃)支持业界最高数据传输率150Mbps,让此组件能适用于各种广泛的工业应用中。
他们不具约束力的“战略合作”可能涉及增加产能,并在几个芯片类别中进行共同开发。
但这两家公司没有披露交易条款,也没有说福特是否提供资金,或承诺在GlobalFoundries目前或未来的任何工厂储备产能。
在2021年举行的客户会议的频率比以往增加了5倍,他相信这是芯片行业价值的转变,是下游行业将芯片视为极其重要和关键部分的方式。

(素材来源:转载自网络,如涉版权请联系删除,特别感谢)
ATF-52189和ATF-53189采用E-pHEMT工艺,具有杰出的性能一致性及300年以上的单点平均故障间隔时间 (MTTF).这些器件采用无引线封装,额定的潮湿灵敏度等级为1级(MSL1)。
单电压操作的E-pHEMT器件的厂商。由于其单电压操作、高效率和杰出的RF性能特点,安捷伦E-pHEMT器件成为了取代噪声系数更高的单电压HBT (异质结两极晶体管)及传统的双电压PHEMT和GaAs HFET(异质结构FET)器件的必然选择。
抖动性能低于250 ps(峰值),低于其它竞争产品两倍之多。
78M6612 OMU芯片是以公司的单转换器技术为基础,集成了22位Δ-Σ ADC、4模拟输入、数字温度补偿和高精度基准电压。
在最宽广的温度范围内(-40至 +125℃)支持业界最高数据传输率150Mbps,让此组件能适用于各种广泛的工业应用中。
他们不具约束力的“战略合作”可能涉及增加产能,并在几个芯片类别中进行共同开发。
但这两家公司没有披露交易条款,也没有说福特是否提供资金,或承诺在GlobalFoundries目前或未来的任何工厂储备产能。
在2021年举行的客户会议的频率比以往增加了5倍,他相信这是芯片行业价值的转变,是下游行业将芯片视为极其重要和关键部分的方式。

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