AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能的影响已经被开始研究
发布时间:2022/1/3 14:48:16 访问次数:297
作为提高电荷输运特性的一种新方法，应变工程在现代器件技术中起着重要的作用。因此，利用应变调制迁移率，进而提高 HEMT 的性能显得尤为重要。
近年来，应变对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能的影响已经被开始研究。
通过紧密束缚计算得到了GaN 有效质量的结果（+0.15%/100MPa），但其中并没有涉及迁移率。建立了扩展的 sp3d5-sp3 经验紧束缚模型，同时研究了平面双轴应变对纤锌矿GaN能带结构的影响.
GCT半导体将MIPS AFE整合到高度集成的WiMAX 和WiFi单芯片和芯片组中，以满足PC、PDA、手机和其它设备对无线宽带通信功能的需求。
目前，已有数款GCT产品整合了MIPS AFE，包括GDM7215单芯片WiMAX和WiFi IC、GDM7205移动WiMAX 2.5 GHz Wave 2单芯片，以及GDM7201 WiMAX芯片组。
凭借拥有超过11年数据转换IP内核设计经验的工程团队的支持，MIPS科技可实现主要应用于消费电子和通信应用的硬宏在SoC上的无缝整合。
谐波失真(THD)是指原有频率的各种倍频的有害干扰。
由于放大器不够理想，放大1kHz的频率信号时，可能会产生2kHz的2次谐波和3kHz及许多更高次的谐波，这些谐波会致使输出波形失真走样。这种因谐波引起的失真叫做谐波失真。
所谓虚拟仪器技术，就是利用高性能的模块化硬件，结合高效灵活的软件来完成各种测试、测量和自动化应用。
将NILabVIEW图形化开发工具用于产品设计周期的各个环节，从而改善了产品质量，缩短了产品投放市场的时间，提高了产品开发和生产效率。
(素材来源：21ic和eccn.如涉版权请联系删除。特别感谢）
作为提高电荷输运特性的一种新方法，应变工程在现代器件技术中起着重要的作用。因此，利用应变调制迁移率，进而提高 HEMT 的性能显得尤为重要。
近年来，应变对 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能的影响已经被开始研究。
通过紧密束缚计算得到了GaN 有效质量的结果（+0.15%/100MPa），但其中并没有涉及迁移率。建立了扩展的 sp3d5-sp3 经验紧束缚模型，同时研究了平面双轴应变对纤锌矿GaN能带结构的影响.
GCT半导体将MIPS AFE整合到高度集成的WiMAX 和WiFi单芯片和芯片组中，以满足PC、PDA、手机和其它设备对无线宽带通信功能的需求。
目前，已有数款GCT产品整合了MIPS AFE，包括GDM7215单芯片WiMAX和WiFi IC、GDM7205移动WiMAX 2.5 GHz Wave 2单芯片，以及GDM7201 WiMAX芯片组。
凭借拥有超过11年数据转换IP内核设计经验的工程团队的支持，MIPS科技可实现主要应用于消费电子和通信应用的硬宏在SoC上的无缝整合。
谐波失真(THD)是指原有频率的各种倍频的有害干扰。
由于放大器不够理想，放大1kHz的频率信号时，可能会产生2kHz的2次谐波和3kHz及许多更高次的谐波，这些谐波会致使输出波形失真走样。这种因谐波引起的失真叫做谐波失真。
所谓虚拟仪器技术，就是利用高性能的模块化硬件，结合高效灵活的软件来完成各种测试、测量和自动化应用。
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