基于玻尔兹曼方程理论,研究应变对 GaN 导带的影响，并通过计算得到了应变与有效质量的变化关系。

在弛豫时间近似的情况下，考虑到各种可能的散射机制，重点研究了双轴应变下有效质量对 AlGaN/GaN 高速电子迁移率晶体管二维电子气迁移率的影响。

利用 materials studio (MS) 中的 CASTEP 模块，同时基于密度泛函理论用局部密度近似，可以完成双轴应变下氮化镓能带结构的系统研究。

对于氮化镓能带结构的计算（空间群为186），最好的晶格常数实验值是 a=3.189 Å，c=5.185 Å。

新型降压转换器系列的峰值效率和平均效率分别达97%和94%，可延长任何应用中的电池寿命。

此外，如果无需供电，例如移动电话的飞行模式下,AS1332-34可提供仅需100nA电流的关断模式及输出断开功能。

AS1334包括软启动和电源就绪指示其它功能,安全功能则包括电流过载和热关断保护。

AS1332/33采用微型WL-CSP、8焊点封装，而AS1334采用TDFN(3x3)-10封装，适用于-40度至+85度工业级温度范围。

狄拉克分布函数模拟了 GaN-AlGaN 异质结构中纵向应变对二维电子气密度的影响。

众所周知，平均电导率有效质量和谷内（间）散射可以调制电子迁移率，由于 GaN 是直接禁带半导体，这意味着在 Γ点只有一个导带底，因此，在应变下没有电子再生而导致能带分裂是不存在的，这样，谷间散射对迁移率的影响就可以忽略不计了。

而通过能带弯曲产生的有效质量的改变就成了引起二维电子气迁移率变化的主要因素。ANADIGICS的24V混合线路放大器结合业内领先的线性水平,优秀的回波损耗以及高静电放电耐受性。

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