1U高程控直流电源将能量低于12.5 eV的电子视为无效电子
发布时间:2021/11/23 23:28:47 访问次数:143
二次电子产额系数为δmax0 = 2.36，与之对应的入射能量为Wmax0 = 300 eV，两种模型的SEY 随入射能量的变化,经典的Vaughan 模型将能量低于12.5 eV 的电子视为无效电子，没有考虑其与金属或介质表面的碰撞，而Rice模型则将其考虑在内并视为弹性散射电子。
当电子与介质表面发生碰撞时，会在介质表面积聚电荷，然而电子与金属表面碰撞则不会在金属表面积聚电荷，两者之间存在着差异。
AMETEK Asterion DC ASM系列电源便于系统集成商在更小的空间内配置更高输出功率。
例如，一个集成系统中需要三个1700W的输出通道，传统系统需要配置三个1U高程控直流电源，占用3U高的机架空间。
Asterion DC ASM系列电源具有三个1700W的通道，仅1U高，这可以节省67%的机架空间，为其他测试系统设备留出2U高的机架空间。
Kria K26 SOM 构建在 Zynq® UltraScale+™ MPSoC 架构之上，该架构具有四核 ARM® Cortex™ A53 处理器、超过 25 万个逻辑单元和 H.264/265 视频编解码器。
SOM 还具备 4GB DDR4 内存和 245 个 IO，使其可以适应几乎任何传感器或接口。
与基于 GPU 的 SOM 相比，凭借 1.4 TOPS 的 AI 算力，Kria K26 SOM 使开发者可以创建能以更低时延和功耗提供 3 倍以上性能的视觉AI 应用。对于安全、交通及城市摄像头、零售分析,机器视觉和视觉引导机器人在内的智能视觉应用。
(素材来源：eepw.如涉版权请联系删除。特别感谢）
二次电子产额系数为δmax0 = 2.36，与之对应的入射能量为Wmax0 = 300 eV，两种模型的SEY 随入射能量的变化,经典的Vaughan 模型将能量低于12.5 eV 的电子视为无效电子，没有考虑其与金属或介质表面的碰撞，而Rice模型则将其考虑在内并视为弹性散射电子。
当电子与介质表面发生碰撞时，会在介质表面积聚电荷，然而电子与金属表面碰撞则不会在金属表面积聚电荷，两者之间存在着差异。
AMETEK Asterion DC ASM系列电源便于系统集成商在更小的空间内配置更高输出功率。
例如，一个集成系统中需要三个1700W的输出通道，传统系统需要配置三个1U高程控直流电源，占用3U高的机架空间。
Asterion DC ASM系列电源具有三个1700W的通道，仅1U高，这可以节省67%的机架空间，为其他测试系统设备留出2U高的机架空间。
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SOM 还具备 4GB DDR4 内存和 245 个 IO，使其可以适应几乎任何传感器或接口。
与基于 GPU 的 SOM 相比，凭借 1.4 TOPS 的 AI 算力，Kria K26 SOM 使开发者可以创建能以更低时延和功耗提供 3 倍以上性能的视觉AI 应用。对于安全、交通及城市摄像头、零售分析,机器视觉和视觉引导机器人在内的智能视觉应用。
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