低功耗后台自主模式(LPBAM)需要2V-3V级的低电压充电
发布时间:2021/10/30 13:12:04 访问次数:412
先进的40nm 制造工艺的 STM32 MCU，STM32U5 系列的功能集成度、内存容量、动态功耗和待机功耗均优于市场上的替代产品。
新产品还增加了新的节能功能，其中包括低功耗后台自主模式 (LPBAM)，在该模式下，直接内存访问 (DMA)控制器和主要外设在没有 CPU 干预的情况下自主运行。
升级的 START Accelerator™加速器，可以关闭闲置未用的 MCU 存储器，以及可选的 DC/DC 转换器和低压差 (LDO) 稳压器组合，在这些节能技术的加持下，动态功耗降至 19μA/MHz以下。
由于可以设置CCCV*2充电的各项充电特性（充电电流、终止电流等），因此能够为搭载新型二次电池的可穿戴设备和小而薄的物联网设备提供理想的充电环境。
在小而薄的物联网设备等领域，对更安全、高密度的二次电池的需求高涨，促使采用新材料作为电解部分的全固态和半固态电池、改变了电极材料的电池等新型二次电池的开发进程加速。
而另一方面，很多新型二次电池又小又薄，需要2V～3V级的低电压充电，却没有可以支持宽电压范围的充电控制IC。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
先进的40nm 制造工艺的 STM32 MCU，STM32U5 系列的功能集成度、内存容量、动态功耗和待机功耗均优于市场上的替代产品。
新产品还增加了新的节能功能，其中包括低功耗后台自主模式 (LPBAM)，在该模式下，直接内存访问 (DMA)控制器和主要外设在没有 CPU 干预的情况下自主运行。
升级的 START Accelerator™加速器，可以关闭闲置未用的 MCU 存储器，以及可选的 DC/DC 转换器和低压差 (LDO) 稳压器组合，在这些节能技术的加持下，动态功耗降至 19μA/MHz以下。
由于可以设置CCCV*2充电的各项充电特性（充电电流、终止电流等），因此能够为搭载新型二次电池的可穿戴设备和小而薄的物联网设备提供理想的充电环境。
在小而薄的物联网设备等领域，对更安全、高密度的二次电池的需求高涨，促使采用新材料作为电解部分的全固态和半固态电池、改变了电极材料的电池等新型二次电池的开发进程加速。
而另一方面，很多新型二次电池又小又薄，需要2V～3V级的低电压充电，却没有可以支持宽电压范围的充电控制IC。
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