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同样尺寸耗散功率不能大于150mW或在稳态处理350mA以上电流

发布时间:2021/10/28 21:37:19 访问次数:422

新产品提供两种配置选择,独立多输出配置可以使用外部电阻单独优化导通和关断时间,而单输出配置具有源米勒钳位功能,可以增强高频硬开关应用的稳健性,利用米勒钳位防止功率开关过度振荡。

STGAP2SiCSN 逻辑输入兼容低达3.3V的TTL和CMOS逻辑信号,简化了与主微控制器或 DSP处理器的连接。

典型的MOSFET是标准封装,同样尺寸的耗散功率不能大于150mW或在稳态处理350mA以上的电流,而FDZ299P的耗散功率有1.7W。

制造商:Texas Instruments产品种类:开关稳压器RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-PowerPad-8拓扑结构:Buck输出电压:800 mV to 58.8 V输出电流:3.5 A输出端数量:1 Output最大输入电压:60 V最小输入电压:4.5 V静态电流:146 uA开关频率:100 kHz to 2.5 MHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:TPS54360封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments 开发套件:TPS54360EVM-182 输入电压:4.5 V to 60 V 湿度敏感性:Yes 产品:Voltage Regulators 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 电源电压-最小:4.5 C 类型:Voltage Converter 单位重量:70.600 mg

InnoSwitch3-PD IC采用超薄InSOP-24D封装,内部同时集成了USB-C、PD和PPS控制器以及高压PowiGaN或硅开关(取决于功率水平)、多模式准谐振反激控制器、次级侧检测电路、FluxLink隔离式数字反馈电路和同步整流驱动器。 

新型P-MOSFET FDZ299P,它是超小型1.5x1.5mm BGA封装。目标应用在手机,PDA,手提音乐播放器,GPS接收器和数码相机的电源管理。

扩展的工作温度降低了系统冷却要求,扩展的工作电压则简化了板的布局和电源设计。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新产品提供两种配置选择,独立多输出配置可以使用外部电阻单独优化导通和关断时间,而单输出配置具有源米勒钳位功能,可以增强高频硬开关应用的稳健性,利用米勒钳位防止功率开关过度振荡。

STGAP2SiCSN 逻辑输入兼容低达3.3V的TTL和CMOS逻辑信号,简化了与主微控制器或 DSP处理器的连接。

典型的MOSFET是标准封装,同样尺寸的耗散功率不能大于150mW或在稳态处理350mA以上的电流,而FDZ299P的耗散功率有1.7W。

制造商:Texas Instruments产品种类:开关稳压器RoHS: 详细信息 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SO-PowerPad-8拓扑结构:Buck输出电压:800 mV to 58.8 V输出电流:3.5 A输出端数量:1 Output最大输入电压:60 V最小输入电压:4.5 V静态电流:146 uA开关频率:100 kHz to 2.5 MHz最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:TPS54360封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments 开发套件:TPS54360EVM-182 输入电压:4.5 V to 60 V 湿度敏感性:Yes 产品:Voltage Regulators 产品类型:Switching Voltage Regulators 工厂包装数量:2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 电源电压-最小:4.5 C 类型:Voltage Converter 单位重量:70.600 mg

InnoSwitch3-PD IC采用超薄InSOP-24D封装,内部同时集成了USB-C、PD和PPS控制器以及高压PowiGaN或硅开关(取决于功率水平)、多模式准谐振反激控制器、次级侧检测电路、FluxLink隔离式数字反馈电路和同步整流驱动器。 

新型P-MOSFET FDZ299P,它是超小型1.5x1.5mm BGA封装。目标应用在手机,PDA,手提音乐播放器,GPS接收器和数码相机的电源管理。

扩展的工作温度降低了系统冷却要求,扩展的工作电压则简化了板的布局和电源设计。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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