VSC9118/VSC9115还具有通用成帧程序(GFP)，SDH链路接入程序(LAPS)和SONET上数据包(PoS)的功能，能把以太网和SAN数据通信量变换到OC-48/OC-192 SONET/SDH网络。

器件支持高达64个逻辑通道(STS-1/VC-3 到STS-192c/VC4-64c)，提供两级指示器发生和中断，用于VC到AU-4的SDH变换。

该器件的线路边和系统边分别有OIF SFI-4和OIF SPI-4.2接口，以便和光收发器或物理层元件无缝地连接。它还支持系统包接口如网络处理器(NP)和媒体接入控制器(MAC)。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 24 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 25 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 98 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

零件号别名: SP000219003 IPB100N06S2L05ATMA1

单位重量: 4 g

一种新的封装TESQ，比标准的4引脚SOT-343表面安装封装还小34%，使用在手机，无线PDA和无线局域网(WLAN)的低噪音放大器(LNA)和压控振荡器有更高的增益。

东芝的低噪音MT4S100T和高增益MT4S101T晶体管的TESQ封装，尺寸只有1.2mm x 1.2mmx0.52mm。MT4S101T很理想地用在WLAN中5.2GHz LNA。

锗硅技术由于结合了硅和锗的电特性，因而有很低的噪音和高增益。这类锗硅器件有低功耗的特性，很适合用在移动和无线电话以及PDA。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）