高低边输出信号传播延迟相同能够驱动GaN增强型FET高频开关
发布时间:2021/10/12 13:02:24 访问次数:402
Microchip将继续设计和开发专用解决方案，帮助设计人员解决开发温度敏感应用时所遇到的问题。
两款新传感器在某特定温度转换范围内的工作电流 (典型电流为250 uA) 可达业界最低水平。其超低功率关断模式(典型电流为1微安) 有助于设计人员延长便携式电子产品的电池寿命。
TC72可读出零下55 度到零上125度的温度，工作电压范围从2.65到5.5伏。
至于TC77则提供最高分辨率(每比特0.0625度) 有助于系统快速检测关键热量状况，从而进行精确的温度测量。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
零件号别名: IPB1N4S33XT SP000260847 IPB100N04S303ATMA1
单位重量: 4 g
STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V，还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管，在驱动 GaN 器件时，可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS)，确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。
自举电路使用同步整流 MOSFET开关管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，从而让驱动器只使用一个电源，而无需低压降稳压器 (LDO)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Microchip将继续设计和开发专用解决方案，帮助设计人员解决开发温度敏感应用时所遇到的问题。
两款新传感器在某特定温度转换范围内的工作电流 (典型电流为250 uA) 可达业界最低水平。其超低功率关断模式(典型电流为1微安) 有助于设计人员延长便携式电子产品的电池寿命。
TC72可读出零下55 度到零上125度的温度，工作电压范围从2.65到5.5伏。
至于TC77则提供最高分辨率(每比特0.0625度) 有助于系统快速检测关键热量状况，从而进行精确的温度测量。
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 214 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 4.4 mm
长度: 10 mm
系列: OptiMOS-T
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 9.25 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 17 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 16 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 46 ns
典型接通延迟时间: 30 ns
零件号别名: IPB1N4S33XT SP000260847 IPB100N04S303ATMA1
单位重量: 4 g
STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。
STDRIVEG600 的驱动电源电压高达 20V，还适用于驱动 N 沟道硅基 MOSFET管，在驱动 GaN 器件时，可以灵活地施加 6V 栅极-源极电压 (VGS)，确保导通电阻 Rds(on)保持在较低水平。
自举电路使用同步整流 MOSFET开关管，使自举电压达到VCC逻辑电源电压值，从而让驱动器只使用一个电源，而无需低压降稳压器 (LDO)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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公网安备44030402000607
