50V/65V氮化镓技术高达120 FPS的速度进行快速3D传感
发布时间:2021/10/5 12:12:37 访问次数:104
100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。
在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。
与更常见的50V/65V氮化镓技术相比，Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能，同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。
制造商:Mini-Circuits产品种类:信号调节产品类型:Signal Conditioning产品:Splitter Filter Modules频率:650 MHz频率范围:1 MHz to 650 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel安装:SMD/SMT类型:2-Way Core, Wire Power Splitter商标:Mini-Circuits介入损耗:0.5 dB1000子类别:Filters单位重量:2.568 g
使用简单的Raspberry Pi主机，以高达120 FPS的速度进行快速3D传感，从而能够对快速移动的物体进行高精度、低延迟的三维点云数据测量。
在其他特定主机上亦可实现并支持更高的速度（即>600fps）。
DK-ILT001外形小巧轻便[44（宽）×24（深）×16（高）mm，重16g]，可支持开发紧凑型3D传感系统。该系统可轻松附着于包括移动物体在内的许多设备,并由价格不贵的Raspberry Pi设备进行托管。
这简化了对具有更高水平3D性能的新应用的评估和开发。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。
在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。
与更常见的50V/65V氮化镓技术相比，Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能，同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。
制造商:Mini-Circuits产品种类:信号调节产品类型:Signal Conditioning产品:Splitter Filter Modules频率:650 MHz频率范围:1 MHz to 650 MHz阻抗:50 Ohms端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:7.87 mm x 5.59 mm x 4.11 mm最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel安装:SMD/SMT类型:2-Way Core, Wire Power Splitter商标:Mini-Circuits介入损耗:0.5 dB1000子类别:Filters单位重量:2.568 g
使用简单的Raspberry Pi主机，以高达120 FPS的速度进行快速3D传感，从而能够对快速移动的物体进行高精度、低延迟的三维点云数据测量。
在其他特定主机上亦可实现并支持更高的速度（即>600fps）。
DK-ILT001外形小巧轻便[44（宽）×24（深）×16（高）mm，重16g]，可支持开发紧凑型3D传感系统。该系统可轻松附着于包括移动物体在内的许多设备,并由价格不贵的Raspberry Pi设备进行托管。
这简化了对具有更高水平3D性能的新应用的评估和开发。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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