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AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段

发布时间:2021/9/25 16:24:05 访问次数:115

这一750V扩展系列与现有的18和60mΩ器件相辅相成,其为设计人员提供了更多的器件方案,实现了更大的设计灵活性,因此可实现最佳的性价比权衡,同时保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。

此外,LCW320系列还具有电源“开启”LED。作为一个选项,可提供保形涂层版本。

这些优势可通过品质因数(FoM)进行量化,例如RDS(on)×A,这个指标衡量了每单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上,第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。

制造商:Texas Instruments产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8每个通道的输出电流:10 mAVos - 输入偏置电压 :5 mV最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 CIb - 输入偏流:10 pACMRR - 共模抑制比:82 dB系列:OPA2348-Q1资格:AEC-Q100封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel放大器类型:General Purpose Amplifier商标:Texas Instruments高度:1.58 mmIn—输入噪声电流密度:0.004 pA/sqrt Hz输入类型:Rail-to-Rail长度:4.9 mm湿度敏感性:Yes工作电源电压:2.1 V to 5.5 V输出类型:Rail-to-Rail产品:Operational Amplifiers产品类型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 电源抑制比:84.44 dB工厂包装数量:2500子类别:Amplifier ICs电源类型:Single技术:CMOS电压增益 dB:108 dB宽度:3.91 mm单位重量:76 mg

电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。新增的产品系列现在为所有的性能和预算规格以及更广泛的应用提供了更多选择。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

这一750V扩展系列与现有的18和60mΩ器件相辅相成,其为设计人员提供了更多的器件方案,实现了更大的设计灵活性,因此可实现最佳的性价比权衡,同时保持充足的设计裕度和电路鲁棒性。

此外,LCW320系列还具有电源“开启”LED。作为一个选项,可提供保形涂层版本。

这些优势可通过品质因数(FoM)进行量化,例如RDS(on)×A,这个指标衡量了每单位芯片面积的传导损耗。在这一指标上,第4代SiC FET在高低裸片温度下均可达到市场最低值。

制造商:Texas Instruments产品种类:运算放大器 - 运放RoHS: 详细信息安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8每个通道的输出电流:10 mAVos - 输入偏置电压 :5 mV最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 CIb - 输入偏流:10 pACMRR - 共模抑制比:82 dB系列:OPA2348-Q1资格:AEC-Q100封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel放大器类型:General Purpose Amplifier商标:Texas Instruments高度:1.58 mmIn—输入噪声电流密度:0.004 pA/sqrt Hz输入类型:Rail-to-Rail长度:4.9 mm湿度敏感性:Yes工作电源电压:2.1 V to 5.5 V输出类型:Rail-to-Rail产品:Operational Amplifiers产品类型:Op Amps - Operational AmplifiersPSRR - 电源抑制比:84.44 dB工厂包装数量:2500子类别:Amplifier ICs电源类型:Single技术:CMOS电压增益 dB:108 dB宽度:3.91 mm单位重量:76 mg

电动汽车中的牵引驱动器以及车载和非车载充电器,以及可再生能源逆变器、功率因数校正、电信转换器以及所有AC/DC或DC/DC功率转换中单向和双向功率转换的所有阶段。

成熟的应用也可以从使用这种器件中受益——可以凭借其与Si MOSFET和IGBT栅极驱动器以及成熟的TO-247封装的向后兼容性来轻松提高效率。

UnitedSiC第4代SiC FET无疑是竞争技术中的性能领导者,并为宽禁带开关技术树立了新的标杆。新增的产品系列现在为所有的性能和预算规格以及更广泛的应用提供了更多选择。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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