三星电子明年将扩大半导体后段制程投资
发布时间:2007/9/4 0:00:00 访问次数:316
根据南韩Electronic Times Internet 26日的报导，基于海外后段制程厂难以因应闪存与System LSI等尖端产品的封装与测试，三星电子将自明年开始，大幅扩大其在南韩的半导体后段制程领域投资。
三星电子相关人员表示，目前虽不便透露正式的投资规模，然为因应闪存等新晶圆厂增设后的后段制程需求，该公司将着手进行扩厂。
据了解，三星电子将在其拥有后段制程设备的温阳工厂，扩充25~30％的产能。同时，对于现有的生产线，亦将视需求转换为先进设备。
根据南韩Electronic Times Internet 26日的报导，基于海外后段制程厂难以因应闪存与System LSI等尖端产品的封装与测试，三星电子将自明年开始，大幅扩大其在南韩的半导体后段制程领域投资。
三星电子相关人员表示，目前虽不便透露正式的投资规模，然为因应闪存等新晶圆厂增设后的后段制程需求，该公司将着手进行扩厂。
据了解，三星电子将在其拥有后段制程设备的温阳工厂，扩充25~30％的产能。同时，对于现有的生产线，亦将视需求转换为先进设备。
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