芯片制造商追捧半导体堆叠技术
发布时间:2007/9/4 0:00:00 访问次数:375
半导体晶粒(Dice)堆叠对于复杂集成问题来说并不是一个新方法，大大小小的公司对此已研究了十几年。三家公司Matrix、Tezzaron和Irvine Sensors最近声称采用各自的方法在该领域取得进展。
Matrix Semiconductor公司日前宣称，在投入批量生产仅仅4个月之后就已交付100万片3D一次性可编程非易失性存储器。Matrix的3DM器件采用标准TSOP或MultimediaCard格式封装，密度高达64MB。该器件由台积电代工制造，Amkor Technology封装。
而Tezzaron Semiconductor此前也于4月宣布开始限量供应两种商用3D器件：含200MHz RISC内核和512kB的堆栈SRAM的微控制器，以及带1、2或4Mb同步SRAM的存储器件。Tezzaron表示，两种产品均为两层器件，采用0.18微米技术，承诺不久将推出5层器件。该公司还表示不打算堆栈器件，而更愿意采用其FsStack工艺构建。该工艺采用直通硅片(through-silicon)连接器。
Irvine Sensors公司则表示能在一个封装内堆栈2到4层DRAM、Flash或SRAM，与单BGA芯片有相同的轮廓。这家公司将两片256Mb的同步DRAM或两片双数据率的SRAM堆叠创建出512Mb的存储器。
（文章来源：电子工程专辑）
半导体晶粒(Dice)堆叠对于复杂集成问题来说并不是一个新方法，大大小小的公司对此已研究了十几年。三家公司Matrix、Tezzaron和Irvine Sensors最近声称采用各自的方法在该领域取得进展。
Matrix Semiconductor公司日前宣称，在投入批量生产仅仅4个月之后就已交付100万片3D一次性可编程非易失性存储器。Matrix的3DM器件采用标准TSOP或MultimediaCard格式封装，密度高达64MB。该器件由台积电代工制造，Amkor Technology封装。
而Tezzaron Semiconductor此前也于4月宣布开始限量供应两种商用3D器件：含200MHz RISC内核和512kB的堆栈SRAM的微控制器，以及带1、2或4Mb同步SRAM的存储器件。Tezzaron表示，两种产品均为两层器件，采用0.18微米技术，承诺不久将推出5层器件。该公司还表示不打算堆栈器件，而更愿意采用其FsStack工艺构建。该工艺采用直通硅片(through-silicon)连接器。
Irvine Sensors公司则表示能在一个封装内堆栈2到4层DRAM、Flash或SRAM，与单BGA芯片有相同的轮廓。这家公司将两片256Mb的同步DRAM或两片双数据率的SRAM堆叠创建出512Mb的存储器。
（文章来源：电子工程专辑）
相关技术资料- 5-12全界面量子芯片调控分析应用软件 Visage
- 5-1212nm FFC 工艺 HIFI5 DSP 系列芯片
- 5-12最新全场景座舱芯片X9SP
- 5-12安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片应用标准
- 5-12MIPI A-PHY功率及通信芯片技术介绍
- 5-12新一代Harmony OS 5 操作系统技术应用探究
- 5-10全新SRP5030HMT 屏蔽式功率电感系列
- 5-10SiC 模块、激光雷达、高精度传感器工作原理
- 5-10瑞芯微 RK3588M结构技术参数设计
- 5-10安全芯片、电动汽车用功率驱动芯片发展趋势
- 5-10高端电源芯片和智能功率器件发展前景分析
- 5-10SerDes 芯片组 NLS9116 和 NLS9246探究
- 相关IC型号
公网安备44030402000607
