片内的锁相环(PLL)时钟,从单一晶体或时钟输入提供所有的内部用时钟和两个外部时钟.CX90010工作在两种电压1.8V和3.3V.

在电源设计中使用碳化硅二极管而不是基于传统硅基技术的二极管有助于设计人员开发更节能的电源转换器，从而节省能源并降低与冷却电力电子设备相关的成本。

这些产品可支持设计出转换器中响应更快的开关功率电子设备，然后可以在相同的输出功率下让外形尺寸更加紧凑，或者在相同的体积下提供更高的功率。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PQFN-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 25 V

Id-连续漏极电流: 64 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 15 nC, 66 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 31 W, 63 W

通道模式: Enhancement

商标名: FastIRFet

封装: Reel

商标: Infineon / IR

配置: Dual

下降时间: 15 ns, 60 ns

正向跨导 - 最小值: 131 S, 161 S

高度: 0.9 mm

长度: 6 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 61 ns, 105 ns

工厂包装数量: 4000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 2 N-Channel

典型关闭延迟时间: 13 ns, 35 ns

典型接通延迟时间: 10 ns, 24 ns

宽度: 5 mm

零件号别名: IRFH4251DTRPBF SP001556236

单位重量: 122.136 mg

这两款变换器采用强制PWM模式，有峰流模式控制功能，能够调整原边输出电压。

扩大的原边负电流限制范围带来更多的灵活性，使用一个典型的变压器线圈匝数比就可以获得适合的副边电流。

变换器软启动可以设置,能够工作可靠性，还为原边恒流保护提供逐脉冲电流检测功能。

300ns预设电流检测消隐时间可以过滤变压器漏感产生的振荡，确保芯片在高边开关通断期间具有更高的稳定性。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）