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微型STM32无线微控制器(MCU)模块集成度并节省更多成本

发布时间:2021/9/21 16:23:23 访问次数:126

通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻,RET可以节省空间并降低制造成本。

SOT363封装还提供双RET(两个晶体管和两个匹配偏置电阻和偏置发射极电阻), Ptot为350 mW,可实现更高集成度并节省更多成本。

新系列(NHDTx和NHUMx)包括42个具有PNP/NPN组合的器件,这些器件带有与Nexperia的50 V器件相同的偏置电阻组合。器件具有100 mA的电流能力,并已获得AEC-Q101认证。

制造商:Texas Instruments产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:MOSFET Gate Drivers类型:Non-Inverting安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8激励器数量:2 Driver输出端数量:2 Output输出电流:5 A电源电压-最小:3.5 V电源电压-最大:14 V配置:Non-Inverting上升时间:14 ns下降时间:12 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:LM5111封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments特点:UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A高度:1.45 mm长度:4.9 mm逻辑类型:TTL工作电源电流:2 mA工作电源电压:3.5 V to 14 V产品类型:Gate Drivers传播延迟—最大值:40 ns工厂包装数量:2500子类别:PMIC - Power Management ICs技术:Si宽度:3.9 mm单位重量:143 mg

一个新的加快物联网产品上市的解决方案,该方案可利用现成的微型STM32无线微控制器(MCU)模块加快基于Bluetooth® LE和802.15.4新物联网设备的开发周期。

器件为系统补充能量提供了令人振奋的可能性,确保持续不断地对设备电池进行充电。

通过采用1200V Wolfspeed® MOSFET 技术,该新型模块在简单易用的封装内实现效率最佳化,从而帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统,并显著提升其效率和性能。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻,RET可以节省空间并降低制造成本。

SOT363封装还提供双RET(两个晶体管和两个匹配偏置电阻和偏置发射极电阻), Ptot为350 mW,可实现更高集成度并节省更多成本。

新系列(NHDTx和NHUMx)包括42个具有PNP/NPN组合的器件,这些器件带有与Nexperia的50 V器件相同的偏置电阻组合。器件具有100 mA的电流能力,并已获得AEC-Q101认证。

制造商:Texas Instruments产品种类:门驱动器RoHS: 详细信息产品:MOSFET Gate Drivers类型:Non-Inverting安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8激励器数量:2 Driver输出端数量:2 Output输出电流:5 A电源电压-最小:3.5 V电源电压-最大:14 V配置:Non-Inverting上升时间:14 ns下降时间:12 ns最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C系列:LM5111封装:Reel封装:Cut Tape封装:MouseReel商标:Texas Instruments特点:UVLO Configured to Drive PFET through OUT_A高度:1.45 mm长度:4.9 mm逻辑类型:TTL工作电源电流:2 mA工作电源电压:3.5 V to 14 V产品类型:Gate Drivers传播延迟—最大值:40 ns工厂包装数量:2500子类别:PMIC - Power Management ICs技术:Si宽度:3.9 mm单位重量:143 mg

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器件为系统补充能量提供了令人振奋的可能性,确保持续不断地对设备电池进行充电。

通过采用1200V Wolfspeed® MOSFET 技术,该新型模块在简单易用的封装内实现效率最佳化,从而帮助设计人员开发出尺寸更小、扩展性更好的电源系统,并显著提升其效率和性能。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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