荷兰皇家飞利浦电子(Philips Semiconductor)与荷兰Kavli纳米科学研究院的科学家们在硅锗衬底上育成了III-V半导体纳米线。研究小组声称，他们是业内最先实现该技术并公开发表的组织。

    该组织在《自然》杂志上发表的文章里，科学家描述了在锗衬底上育成磷化铟纳米线的情况。同时，该小组还成功在硅衬底上育成出了磷化铟(InP)和磷化镓(GaP)。飞利浦研究公司(Philips Research)表示，在取得该成就之前，化合物半导体无法通过传统的薄膜沉积和光刻构造加工方法在硅或其它IV族材料上加工。这是由于晶格及热扩散不匹配等根本问题引起的，这些问题阻碍了外延生长。

    然而，摩托罗拉实验室声称已经论证了在硅表面育成GaAs的可能性，也发表了相关技术论文。摩托罗拉还成立了一家子公司ThoughtBeam，致力于将研究商业化。但ThoughtBeam在2002年底被关闭。

    飞利浦研究公司称，与在整块衬底上育成化合物半导体层不同，飞利浦与Kavli纳米科学研究院在多处衬底位置生长纳米线形式的III-V材料，所产生的机械应力较小。该技术的关键是采用了气-液-固(Vapor-Liquid-Solid，VLS)方法来育成半导体纳米线。