39.5dB高增益或35.5dB低增益SiT9501提供更高性能和更小尺寸
发布时间:2021/8/23 8:42:29 访问次数:132
第三代MEMS技术已准备就绪，并且可以仅以一半的功率将相位噪声指标改善七倍。
SiT9501是首款运用该技术的产品，它延续了我们每一代产品性能都显著提高的传统。在光模块等空间紧缺的应用中，SiT9501提供了更高性能和更小尺寸的完美组合。
在5G、AI和云计算的推动下，互联网流量预计将大幅增长，数据中心的吞吐量正在不断提高。
光模块和数据通信设备需要提供更快的数据速率。室外5G基础设施受到高温、振动和气流等极端环境的影响，会降低吞吐量。
类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®零件状态在售FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门漏源电压（Vdss）20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.7A，6.1A不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）22 毫欧 @ 5.7A，4.5V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）850pF @ 10V功率 - 最大值1.6W，1.7W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装8-TSSOP基本产品编号SI6562
两种可选增益模式：39.5dB高增益或35.5dB低增益
38dBm的高性能OIP3和24dBm的OP1dB
射频频率范围为1.8GHz至5.0GHz
75mA超低静态电流
5V电源电压
最高115°C TCB工作温度
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
第三代MEMS技术已准备就绪，并且可以仅以一半的功率将相位噪声指标改善七倍。
SiT9501是首款运用该技术的产品，它延续了我们每一代产品性能都显著提高的传统。在光模块等空间紧缺的应用中，SiT9501提供了更高性能和更小尺寸的完美组合。
在5G、AI和云计算的推动下，互联网流量预计将大幅增长，数据中心的吞吐量正在不断提高。
光模块和数据通信设备需要提供更快的数据速率。室外5G基础设施受到高温、振动和气流等极端环境的影响，会降低吞吐量。
类型描述类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 阵列制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®零件状态在售FET 类型N 和 P 沟道FET 功能逻辑电平门漏源电压（Vdss）20V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)6.7A，6.1A不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）22 毫欧 @ 5.7A，4.5V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）1.5V @ 250μA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）23nC @ 10V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）850pF @ 10V功率 - 最大值1.6W，1.7W工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型封装/外壳8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）供应商器件封装8-TSSOP基本产品编号SI6562
两种可选增益模式：39.5dB高增益或35.5dB低增益
38dBm的高性能OIP3和24dBm的OP1dB
射频频率范围为1.8GHz至5.0GHz
75mA超低静态电流
5V电源电压
最高115°C TCB工作温度
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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