SiC的高电子迁移率使其能够支持更快的开关速度
发布时间:2021/8/22 23:00:29 访问次数:643
与5G蜂窝技术应用先驱之一的司亚乐合作，促进这变革连接的采用，帮助改善关键任务和业务应用的实时通信。
5G智能手机具有更大的屏幕、更大的锂离子电池容量和“快速充电（快充）”等特点，是表明着未来手机的发展，那么USB-C（USB Type-C）的PD 3.0规范，尤其是可编程电源（PPS），将成为USB供电的首选。
所有合规的> 3 A Type C电缆都必须包含电子标记的电缆或emarker。
制造商:Renesas Electronics产品种类:监控电路RoHS: 类型:Voltage Supervisory安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8阈值电压:4.5 V to 5.5 V被监测输入数:1 Input输出类型:Active High人工复位:No Manual Reset看门狗计时器:Watchdog电池备用开关:No Backup重置延迟时间:280 ms电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Reel高度:0 mm长度:4.9 mm宽度:3.9 mm商标:Renesas / Intersil过电压阈值:4.5 V欠电压阈值:4.25 V芯片启用信号:No Chip Enable工作电源电流:5 mA功率失效检测:No产品类型:Supervisory Circuits2500子类别:PMIC - Power Management ICs电源电压-最小:4.5 V单位重量:72 mg
虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。
SiC的高电子迁移率使其能够支持更快的开关速度。这些更快的开关速度意味着相应的开关损耗也将减少。它的介电击穿场强几乎比硅高一个数量级。
这能实现更薄的漂移层，这将转化为更低的导通电阻值。此外，由于SiC的导热系数是Si的三倍，因此在散热方面要高效得多。因此，更容易减小热应力。
传统的高压电机驱动器会采用三相逆变器，其中Si IGBT集成反并联二极管。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
与5G蜂窝技术应用先驱之一的司亚乐合作，促进这变革连接的采用，帮助改善关键任务和业务应用的实时通信。
5G智能手机具有更大的屏幕、更大的锂离子电池容量和“快速充电（快充）”等特点，是表明着未来手机的发展，那么USB-C（USB Type-C）的PD 3.0规范，尤其是可编程电源（PPS），将成为USB供电的首选。
所有合规的> 3 A Type C电缆都必须包含电子标记的电缆或emarker。
制造商:Renesas Electronics产品种类:监控电路RoHS: 类型:Voltage Supervisory安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-8阈值电压:4.5 V to 5.5 V被监测输入数:1 Input输出类型:Active High人工复位:No Manual Reset看门狗计时器:Watchdog电池备用开关:No Backup重置延迟时间:280 ms电源电压-最大:5.5 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C系列:封装:Reel高度:0 mm长度:4.9 mm宽度:3.9 mm商标:Renesas / Intersil过电压阈值:4.5 V欠电压阈值:4.25 V芯片启用信号:No Chip Enable工作电源电流:5 mA功率失效检测:No产品类型:Supervisory Circuits2500子类别:PMIC - Power Management ICs电源电压-最小:4.5 V单位重量:72 mg
虽然有各种重要的机会使用这项技术，但工业电机驱动正获得最大的兴趣和关注。
SiC的高电子迁移率使其能够支持更快的开关速度。这些更快的开关速度意味着相应的开关损耗也将减少。它的介电击穿场强几乎比硅高一个数量级。
这能实现更薄的漂移层，这将转化为更低的导通电阻值。此外，由于SiC的导热系数是Si的三倍，因此在散热方面要高效得多。因此，更容易减小热应力。
传统的高压电机驱动器会采用三相逆变器，其中Si IGBT集成反并联二极管。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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