采用0.35μm 1T1C单元技术的铁电存储器
发布时间:2007/9/4 0:00:00 访问次数:571
富士通微电子(美国)公司日前推出两款1Mb容量的FRAM(铁电存储器)，分别是MB85R1001 (×8位)和MB85R1002(×16位)。它们均采用最新的0.35μm 1T1C单元技术开发，具有读写速度快、功耗低且数据保存持久的特点。
富士通公司称，上述两款FRAM的设计完全适合用作办公设备(包括打印机、复印机和便携资料处理设备)及家用电器(如微波炉和洗衣机)中的非易失性存储器。此器件兼具RAM和ROM的特点，支持包括存储安全信息及状态监控等功能。
其中MB85R1001 FRAM结构为128K字×8，而MB85R1002为64K字×16。这两款器件的工作电源电压在3V至3.6V之间，读取时间为100ns，读写周期为250ns。数据保持时间超过10年，可存取次数大于100亿，工作温度范围为-20℃到85℃。
富士通采用0.35μm CMOS工艺生产的1Mb FRAM产品封装形式有TSOP48和FBGA48。MB85R1001和MB85R1001的样品1,000片订购起价均为每片19美元(仅供参考)。
富士通微电子(美国)公司日前推出两款1Mb容量的FRAM(铁电存储器)，分别是MB85R1001 (×8位)和MB85R1002(×16位)。它们均采用最新的0.35μm 1T1C单元技术开发，具有读写速度快、功耗低且数据保存持久的特点。
富士通公司称，上述两款FRAM的设计完全适合用作办公设备(包括打印机、复印机和便携资料处理设备)及家用电器(如微波炉和洗衣机)中的非易失性存储器。此器件兼具RAM和ROM的特点，支持包括存储安全信息及状态监控等功能。
其中MB85R1001 FRAM结构为128K字×8，而MB85R1002为64K字×16。这两款器件的工作电源电压在3V至3.6V之间，读取时间为100ns，读写周期为250ns。数据保持时间超过10年，可存取次数大于100亿，工作温度范围为-20℃到85℃。
富士通采用0.35μm CMOS工艺生产的1Mb FRAM产品封装形式有TSOP48和FBGA48。MB85R1001和MB85R1001的样品1,000片订购起价均为每片19美元(仅供参考)。
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