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集成SiC二极管具有反向恢复性能进一步优化系统电磁兼容性

发布时间:2021/8/9 21:46:25 访问次数:468

由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。

借助CoolSiC混合分立器件,我们可以简化驱动器设计,从而缩短了产品研发时间、降低了研发成本、提高了系统鲁棒性。

而集成的SiC二极管所具有的反向恢复性能进一步优化了系统的电磁兼容性。因此在图腾柱PFC、DAB等拓扑架构中具备更大的性能优势和更高的性价比。

与威迈斯建立这种紧密的合作关系。该项目进一步凸显出我们在车载充电器应用领域的强势地位。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 商标:Diodes Incorporated 产品类型:MOSFET 子类别:MOSFETs 单位重量:8 mg

整合基本功能与节能技术的新产品,扩大STM32WB* Bluetooth® LE微控制器(MCU)产品线。

双核微控制器STM32WB15和STM32WB10超值系列搭载主应用处理器Arm® Cortex®-M4和Bluetooth 5.2蓝牙处理器Cortex-M0+,保证两个处理器都能实现出色的实时性能。

包括可穿戴设备、信标、智能断路器、跟踪器,物联网终端和工业自动化设备。

射频端链路预算达到102dBm,确保远距离网络连接稳定可靠,并集成巴伦(平衡-不平衡变换器)电路,节省电路板空间和材料清单成本。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)




由于具有较低的冷却要求,该二极管还能降低系统成本,带来极佳的性价比优势。

借助CoolSiC混合分立器件,我们可以简化驱动器设计,从而缩短了产品研发时间、降低了研发成本、提高了系统鲁棒性。

而集成的SiC二极管所具有的反向恢复性能进一步优化了系统的电磁兼容性。因此在图腾柱PFC、DAB等拓扑架构中具备更大的性能优势和更高的性价比。

与威迈斯建立这种紧密的合作关系。该项目进一步凸显出我们在车载充电器应用领域的强势地位。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel 配置:Single 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 N-Channel 商标:Diodes Incorporated 产品类型:MOSFET 子类别:MOSFETs 单位重量:8 mg

整合基本功能与节能技术的新产品,扩大STM32WB* Bluetooth® LE微控制器(MCU)产品线。

双核微控制器STM32WB15和STM32WB10超值系列搭载主应用处理器Arm® Cortex®-M4和Bluetooth 5.2蓝牙处理器Cortex-M0+,保证两个处理器都能实现出色的实时性能。

包括可穿戴设备、信标、智能断路器、跟踪器,物联网终端和工业自动化设备。

射频端链路预算达到102dBm,确保远距离网络连接稳定可靠,并集成巴伦(平衡-不平衡变换器)电路,节省电路板空间和材料清单成本。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)




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