金升阳自主研发芯片与同类型其他芯片在性能相当前提下，价格更低，性价比更高。

经济型电源产品满足IEC/UL/EN62368及DOSA标准，工作温度范围宽至-40℃ to +100℃，具有优良的温度降额曲线，隔离电压为1500VDC，纹波噪声低至100mV，输出效率高达93%。

轻载（10%）效率高达85%，空载损耗低至0.96W，可大幅降低客户系统待机功耗。

除此之外，此系列产品所有器件均涂覆三防漆，保护线路板免受坏境的侵蚀,具有输入欠压保护、过流、短路等保护功能，可有效防止客户系统或设备工作异常造成不必要的损失。

制造商: Texas Instruments

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 187 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 78 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标名: NexFET

封装: Tube

配置: Single

高度: 16.51 mm

长度: 10.67 mm

系列: CSD19535KCS

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.7 mm

商标: Texas Instruments

正向跨导 - 最小值: 274 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 15 ns

工厂包装数量: 50

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 60 ns

典型接通延迟时间: 32 ns

单位重量: 2 g

产品特点

效率高达95%

空载输入电流低至0.2mA

工作温度范围：-40℃ to +85℃

可持续短路保护

超小体积

SIP系列支持负输出

自动化程度高

满足EN 62368标准（认证中）

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）