Si8233BB 4A双路隔离栅极驱动器热导率充分发挥GaN的特性
发布时间:2021/7/25 8:26:42 访问次数:380
CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度双向电动汽车车载充电机参考设计,采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A双路隔离栅极驱动器,以得到大功率密度电动汽车车载充电机(OBC).
峰值效率为96.5%,功率密度为53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸为220mmx180mmx50mm.参考设计采用通用单相输入电压,90V和265V之间.
输出电压250 V-450 V DC,充电模式的输出电流为18A,最大输出功率6.6kW.
制造商: Nexperia
产品种类: 闭锁
RoHS: 详细信息
电路数量: 8 Circuit
逻辑类型: CMOS
逻辑系列: AHC
极性: Non-Inverting
静态电流: 4 uA
输出线路数量: 8 Line
高电平输出电流: - 8 mA
传播延迟时间: 4.2 ns at 5 V
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 2 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: SO-20
功能: Transparent
高度: 2.45 mm
长度: 13 mm
输出类型: 3-State
类型: D-Type
宽度: 7.6 mm
商标: Nexperia
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 8 Channels
输入线路数量: 8 Line
电源电流—最大值: 4 uA
工作电源电压: 5 V
产品类型: Latches
复位类型: No Reset
工厂包装数量: 38
子类别: Logic ICs
零件号别名: 74AHC573D,112
单位重量: 266.700 mg
GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战，其具备宽的能带隙，拥有极高的临界击穿电场.
具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性，以及优异的功率密度。
将碳化硅（SiC）作为 GaN的衬底，能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配，以及出色的热导率，进而充分发挥GaN 的特性。
单片微波集成电路（MMIC）能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中，进而提高电路密度。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
CRD-06600FF065N是6.6kW高功率密度双向电动汽车车载充电机参考设计,采用Wolfspeed公司的630V C3M™SiC MOSFET和Silicon Labs公司的Si8233BB 4A双路隔离栅极驱动器,以得到大功率密度电动汽车车载充电机(OBC).
峰值效率为96.5%,功率密度为53 W/in^3或3 KW/L.外形尺寸为220mmx180mmx50mm.参考设计采用通用单相输入电压,90V和265V之间.
输出电压250 V-450 V DC,充电模式的输出电流为18A,最大输出功率6.6kW.
制造商: Nexperia
产品种类: 闭锁
RoHS: 详细信息
电路数量: 8 Circuit
逻辑类型: CMOS
逻辑系列: AHC
极性: Non-Inverting
静态电流: 4 uA
输出线路数量: 8 Line
高电平输出电流: - 8 mA
传播延迟时间: 4.2 ns at 5 V
电源电压-最大: 5.5 V
电源电压-最小: 2 V
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 125 C
封装 / 箱体: SO-20
功能: Transparent
高度: 2.45 mm
长度: 13 mm
输出类型: 3-State
类型: D-Type
宽度: 7.6 mm
商标: Nexperia
安装风格: SMD/SMT
通道数量: 8 Channels
输入线路数量: 8 Line
电源电流—最大值: 4 uA
工作电源电压: 5 V
产品类型: Latches
复位类型: No Reset
工厂包装数量: 38
子类别: Logic ICs
零件号别名: 74AHC573D,112
单位重量: 266.700 mg
GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战，其具备宽的能带隙，拥有极高的临界击穿电场.
具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性，以及优异的功率密度。
将碳化硅（SiC）作为 GaN的衬底，能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配，以及出色的热导率，进而充分发挥GaN 的特性。
单片微波集成电路（MMIC）能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中，进而提高电路密度。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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