日立(Hitachi)公司和瑞萨科技(Renesas Technology)公司开发出据其称是全球最小的闪存单元，使器件的编程速度达到80Mbps。两家公司的工程师在国际电子器件会议(IEDM)上展示了这项研究成果。

    该存储单元采用了具备多级单元技术的所谓Assist Gate-AND闪存单元的源-漏结构，使存储单元面积在用90纳米制造工艺技术实现时减少30%。

    该单元结构使用了日立和瑞萨的场绝缘技术，融合了能防止内部单元干扰的辅助门，从而使更小单元面积和高速编程成为可能。

    瑞萨科技计划2004年第三季度开始商业化制造基于这种技术的4Gb AG-AND闪存。

    日立开发的第一代Assist Gate AND闪存通过采用避免内部单元干扰的辅助门(AGs)和多级单元技术，从而提供80Mbps的高速编程。

    瑞萨科技目前正采用130纳米制造工艺技术生产1Gb AG-AND闪存。