单路隔离用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的栅极驱动器
发布时间:2021/7/25 7:31:15 访问次数:604
UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-kVRMS.33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.
引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.
工作结温为–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔离1分钟per UL 1577.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:线性稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252 输出端数量:1 Output 极性:Positive 输出电压:5 V 输出电流:500 mA 输出类型:Fixed 最大输入电压:35 V 最小输入电压:7 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 负载调节:100 mV 线路调整率:100 mV 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics PSRR/纹波抑制—典型值:62 dB 产品类型:Linear Voltage Regulators 工厂包装数量2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:1.800 g
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
片上4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.MAX19794是单片器件,采用该公司的专有的SiGeBiCMOS工艺,工作单5V电压或+3.3V电压.
高度线性度整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
UCC23511-Q1是光兼容单路隔离用于IGBT,MOSFET和SiC MOSFET的栅极驱动器,源电流1.5A,沉电流2A,增强隔离指标为5.7-kVRMS.33V高工作电压允许采用双极电源来有效地驱动IGBT和SiC功率FET.UCC23511-Q1能驱动高边和低边功率FET.
引脚对引脚替代光隔离栅极驱动器,12V VCC UVLO, 轨到轨输出,最大传输时延为105ns,部件间延时失配最大为25ns,脉宽失真最大为35ns,共模瞬态免疫度(CMTI)大于150-kV/μs,隔离阻挡层寿命大于50年.
工作结温为–40C 到+150C.5.7-kVRMS隔离1分钟per UL 1577.
制造商:STMicroelectronics 产品种类:线性稳压器 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TO-252 输出端数量:1 Output 极性:Positive 输出电压:5 V 输出电流:500 mA 输出类型:Fixed 最大输入电压:35 V 最小输入电压:7 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 负载调节:100 mV 线路调整率:100 mV 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:2.4 mm 长度:6.6 mm 宽度:6.2 mm 商标:STMicroelectronics PSRR/纹波抑制—典型值:62 dB 产品类型:Linear Voltage Regulators 工厂包装数量2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:1.800 g
两个衰减器采用共同的确模拟控制,可以级联起来以得到44.7dB的总衰减,典型的组合线性控制斜率为16dB/V(5V工作).
片上4线SPI控制的10位DAC能用来控制两个衰减器.MAX19794是单片器件,采用该公司的专有的SiGeBiCMOS工艺,工作单5V电压或+3.3V电压.
高度线性度整个衰减范围内IIP3大于+34.4dBm,输入P1dB为+21.8dBm.采用36引脚6mmx6mmx0,8mm TQFN封装,工作温度为-40NC到+100NC.
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