最低25微欧至最高200微欧的电阻值基于器件结温的热关断
发布时间:2021/7/23 13:02:12 访问次数:158
新型完全电镀型号在材料冲压后，再经过镀锡处理以产生保护层，该保护层在负载寿命测试受益后可提供增强的性能、长期稳定性和较低的电阻漂移。
裸铜版的结构无镀锡，可增强TCR性能，铜端子上覆盖有一层保护层，有助于延长电阻器的使用寿命。
Bourns®全新扩展的CSM2F型号系列具有最低25微欧至最高200微欧的电阻值、可达50瓦的额定功率、1414安培的连续电流，以及具有高脉冲功率处理能力。
Bourns®全新CSM2F型号系列现已上市，全系列均符合RoHS*标准。
制造商:Nexperia产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS: 详细信息产品类型:ESD Suppressors极性:Unidirectional工作电压:5 V通道数量:1 Channel端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:SOD-523-2击穿电压:6.8 VVesd - 静电放电电压触点:8 kVCd - 二极管电容 :2 pF最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:PESD5V0U1UB资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Nexperia工厂包装数量:3000子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes零件号别名:934062186115单位重量:1.464 mg
NCP51820提供先进的电平转移技术,具有短匹配传播延迟,高边驱动时共模电压范围−3.5 V 到 +650 V,低边驱动时共模电压范围−3.5 V到 +3.5 V.
器件提供稳定的dV/dt工作速率高达200 V/ns. NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监视VDD偏压和VDDH和VDDL驱动偏压以及基于器件结温的热关断.
可编死区控制能进行配置以防止交叉导通.器件集成了650V高边和低边栅极驱动器,两路TTL兼容的施密特触发器输入,源电流能力1A,沉电流能力2A.
新型完全电镀型号在材料冲压后，再经过镀锡处理以产生保护层，该保护层在负载寿命测试受益后可提供增强的性能、长期稳定性和较低的电阻漂移。
裸铜版的结构无镀锡，可增强TCR性能，铜端子上覆盖有一层保护层，有助于延长电阻器的使用寿命。
Bourns®全新扩展的CSM2F型号系列具有最低25微欧至最高200微欧的电阻值、可达50瓦的额定功率、1414安培的连续电流，以及具有高脉冲功率处理能力。
Bourns®全新CSM2F型号系列现已上市，全系列均符合RoHS*标准。
制造商:Nexperia产品种类:ESD 抑制器/TVS 二极管
RoHS: 详细信息产品类型:ESD Suppressors极性:Unidirectional工作电压:5 V通道数量:1 Channel端接类型:SMD/SMT封装 / 箱体:SOD-523-2击穿电压:6.8 VVesd - 静电放电电压触点:8 kVCd - 二极管电容 :2 pF最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C系列:PESD5V0U1UB资格:AEC-Q101封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel商标:Nexperia工厂包装数量:3000子类别:TVS Diodes / ESD Suppression Diodes零件号别名:934062186115单位重量:1.464 mg
NCP51820提供先进的电平转移技术,具有短匹配传播延迟,高边驱动时共模电压范围−3.5 V 到 +650 V,低边驱动时共模电压范围−3.5 V到 +3.5 V.
器件提供稳定的dV/dt工作速率高达200 V/ns. NCP51820提供重要的保护功能如单独的欠压锁住(UVLO),监视VDD偏压和VDDH和VDDL驱动偏压以及基于器件结温的热关断.
可编死区控制能进行配置以防止交叉导通.器件集成了650V高边和低边栅极驱动器,两路TTL兼容的施密特触发器输入,源电流能力1A,沉电流能力2A.
公网安备44030402000607
