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新型器件在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率(PAE)

发布时间:2021/7/22 7:51:13 访问次数:491

“无线接入点300系列(AP300)”和“无线接入点100系列(AP100)”设备选用nRF52833低功耗蓝牙 (Bluetooth Low Energy (Bluetooth LE))系统级芯片(SoC) )。

这款产品集成了两个Nordic nRF52833 SoC器件,一个用于专用的低功耗蓝牙网关,另一个则用于Zigbee网关,因此能够使用任一短距离协议将网络中的数据中继传输到云。

AP100无线接入点集成了单个Nordic nRF52833 SoC,以提供低功耗蓝牙或Zigbee无线连接。AP300和AP100均具有红外(IR)功能以实现IR连接。

制造商:NJR 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DMP-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:+/- 20 V GBP-增益带宽产品:10 MHz SR - 转换速率 :8 V/us Vos - 输入偏置电压 :4 mV 电源电压-最小:+/- 3 V 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 75 C Ib - 输入偏流:800 nA 工作电源电流:16 mA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB en - 输入电压噪声密度:8 nV/sqrt Hz 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Low Noise Amplifier 高度:1.6 mm 长度:5 mm 电源类型:Dual 技术:Bipolar 宽度:5 mm 商标:NJR 双重电源电压:+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V In—输入噪声电流密度:2.7 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 20 V 最小双重电源电压:+/- 3 V Pd-功率耗散:600 mW 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 工厂包装数量2000 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:100 dB

通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技术,这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率(PAE),从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化,且功耗更少。

Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件为设计工程师提供了丰富的选项,适合要求在苛刻尺寸内实现高效率发射解决方案的系统,例如在有源相阵控雷达应用中所需要的那些。

通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解决方案,将赋能实现关键射频系统所要求的更小尺寸、更轻重量、更高功率(SWaP)、以及性能达到新的高度。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

“无线接入点300系列(AP300)”和“无线接入点100系列(AP100)”设备选用nRF52833低功耗蓝牙 (Bluetooth Low Energy (Bluetooth LE))系统级芯片(SoC) )。

这款产品集成了两个Nordic nRF52833 SoC器件,一个用于专用的低功耗蓝牙网关,另一个则用于Zigbee网关,因此能够使用任一短距离协议将网络中的数据中继传输到云。

AP100无线接入点集成了单个Nordic nRF52833 SoC,以提供低功耗蓝牙或Zigbee无线连接。AP300和AP100均具有红外(IR)功能以实现IR连接。

制造商:NJR 产品种类:运算放大器 - 运放 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DMP-8 通道数量:2 Channel 电源电压-最大:+/- 20 V GBP-增益带宽产品:10 MHz SR - 转换速率 :8 V/us Vos - 输入偏置电压 :4 mV 电源电压-最小:+/- 3 V 最小工作温度:- 20 C 最大工作温度:+ 75 C Ib - 输入偏流:800 nA 工作电源电流:16 mA 关闭:No Shutdown CMRR - 共模抑制比:70 dB en - 输入电压噪声密度:8 nV/sqrt Hz 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 放大器类型:Low Noise Amplifier 高度:1.6 mm 长度:5 mm 电源类型:Dual 技术:Bipolar 宽度:5 mm 商标:NJR 双重电源电压:+/- 5 V, +/- 9 V, +/- 12 V In—输入噪声电流密度:2.7 pA/sqrt Hz 最大双重电源电压:+/- 20 V 最小双重电源电压:+/- 3 V Pd-功率耗散:600 mW 产品类型:Op Amps - Operational Amplifiers 工厂包装数量2000 子类别:Amplifier ICs 电压增益 dB:100 dB

通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 技术,这些新型器件能够在小型且行业标准封装内提供高功率附加效率(PAE),从而助力设计人员能够在更小型的系统中实现性能的最大化,且功耗更少。

Cree | Wolfspeed 新型 X-波段器件为设计工程师提供了丰富的选项,适合要求在苛刻尺寸内实现高效率发射解决方案的系统,例如在有源相阵控雷达应用中所需要的那些。

通过采用 Wolfspeed GaN-on-SiC 解决方案,将赋能实现关键射频系统所要求的更小尺寸、更轻重量、更高功率(SWaP)、以及性能达到新的高度。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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