宽的能带隙重量和尺寸满足更低系统直流功率要求
发布时间:2021/7/20 18:06:58 访问次数:329
GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战，其具备宽的能带隙，拥有极高的临界击穿电场；具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性，以及优异的功率密度。
将碳化硅（SiC）作为 GaN的衬底，能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配，以及出色的热导率，进而充分发挥GaN 的特性。
单片微波集成电路（MMIC）能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中，进而提高电路密度。
制造商: Infineon
产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: SSOP-24
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: TLE8088
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
零件号别名: TLE8088EM SP000685716
单位重量: 150.400 mg
放大器拥有三级增益，能够提供大于 30dB 的大信号增益和大于 50% 的效率，能够满足更低的系统直流功率要求，并为简化系统热管理解决方案提供支持。
GaNMMIC是CMPA9396025S其能够集成诸多技术，带来SWaP-C 改进的最大化。
该三级器件针对9.3-GHz 至 9.6-GHz工作而设计，采用 6 × 6mmQFN 封装，在 100-μs 脉冲宽度、占空比为 10% 条件下的功率为 25W。
其输出典型值高达 40W，大信号增益大于 20dB，功率附加效率达 40%。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
GaN能够帮助雷达设计者克服功率、散热、重量和尺寸、以及成本效益等诸多挑战，其具备宽的能带隙，拥有极高的临界击穿电场；具备出色的高温可靠性、出众的高供电电压下的鲁棒性，以及优异的功率密度。
将碳化硅（SiC）作为 GaN的衬底，能实现较低的热膨胀、较低的晶格失配，以及出色的热导率，进而充分发挥GaN 的特性。
单片微波集成电路（MMIC）能将多个元件的完整功能模块制造在单个设备中，进而提高电路密度。
制造商: Infineon
产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS: 详细信息
封装 / 箱体: SSOP-24
资格: AEC-Q100
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: TLE8088
商标: Infineon Technologies
湿度敏感性: Yes
产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工厂包装数量: 2500
子类别: PMIC - Power Management ICs
零件号别名: TLE8088EM SP000685716
单位重量: 150.400 mg
放大器拥有三级增益，能够提供大于 30dB 的大信号增益和大于 50% 的效率，能够满足更低的系统直流功率要求，并为简化系统热管理解决方案提供支持。
GaNMMIC是CMPA9396025S其能够集成诸多技术，带来SWaP-C 改进的最大化。
该三级器件针对9.3-GHz 至 9.6-GHz工作而设计，采用 6 × 6mmQFN 封装，在 100-μs 脉冲宽度、占空比为 10% 条件下的功率为 25W。
其输出典型值高达 40W，大信号增益大于 20dB，功率附加效率达 40%。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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