4安培峰值栅极驱动电流可有效开关SiC FET和IGBT
发布时间:2021/7/18 8:10:36 访问次数:634
在车载充电器中采用本产品时,与以往IGBT产品相比,损耗可降低67%,与超级结MOSFET(SJ-MOSFET)相比,损耗可降低24%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。
在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市场。
ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件,同时,提供设计工具以及各种解决方案,通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。
产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS: 详细信息
类型: Driver
工作电源电压: 7 V to 52 V
工作电源电流: 6 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-36
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: L6235
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工厂包装数量: 600
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 2 g
Si828x版本2包含以下功能:
4安培峰值栅极驱动电流可有效开关SiC FET和IGBT,降低电动汽车和工业应用的运营成本
改进的共模瞬变抗扰性(CMTI)支持减少开关转换时间,升高开关频率,降低系统损耗
额外的欠压锁定(UVLO)设置可提高SiC FET的灵活性,防止电源供电不良
集成的DC-DC转换器可简化设计,降低系统成本
提供FET去饱和保护,以检测并消除故障状况
包含米勒钳位,消除了寄生引起的击穿情况
在车载充电器中采用本产品时,与以往IGBT产品相比,损耗可降低67%,与超级结MOSFET(SJ-MOSFET)相比,损耗可降低24%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。
在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市场。
ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件,同时,提供设计工具以及各种解决方案,通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。
产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器
RoHS: 详细信息
类型: Driver
工作电源电压: 7 V to 52 V
工作电源电流: 6 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerSO-36
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
系列: L6235
商标: STMicroelectronics
湿度敏感性: Yes
产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
工厂包装数量: 600
子类别: PMIC - Power Management ICs
单位重量: 2 g
Si828x版本2包含以下功能:
4安培峰值栅极驱动电流可有效开关SiC FET和IGBT,降低电动汽车和工业应用的运营成本
改进的共模瞬变抗扰性(CMTI)支持减少开关转换时间,升高开关频率,降低系统损耗
额外的欠压锁定(UVLO)设置可提高SiC FET的灵活性,防止电源供电不良
集成的DC-DC转换器可简化设计,降低系统成本
提供FET去饱和保护,以检测并消除故障状况
包含米勒钳位,消除了寄生引起的击穿情况