位置:51电子网 » 技术资料 » 计算机技术

4安培峰值栅极驱动电流可有效开关SiC FET和IGBT

发布时间:2021/7/18 8:10:36 访问次数:634

在车载充电器中采用本产品时,与以往IGBT产品相比,损耗可降低67%,与超级结MOSFET(SJ-MOSFET)相比,损耗可降低24%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市场。

ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件,同时,提供设计工具以及各种解决方案,通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器

RoHS: 详细信息

类型: Driver

工作电源电压: 7 V to 52 V

工作电源电流: 6 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerSO-36

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: L6235

商标: STMicroelectronics

湿度敏感性: Yes

产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工厂包装数量: 600

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 2 g

Si828x版本2包含以下功能:

4安培峰值栅极驱动电流可有效开关SiC FET和IGBT,降低电动汽车和工业应用的运营成本

改进的共模瞬变抗扰性(CMTI)支持减少开关转换时间,升高开关频率,降低系统损耗

额外的欠压锁定(UVLO)设置可提高SiC FET的灵活性,防止电源供电不良

集成的DC-DC转换器可简化设计,降低系统成本

提供FET去饱和保护,以检测并消除故障状况

包含米勒钳位,消除了寄生引起的击穿情况


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


在车载充电器中采用本产品时,与以往IGBT产品相比,损耗可降低67%,与超级结MOSFET(SJ-MOSFET)相比,损耗可降低24%,有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

在ROHM官网上还免费提供评估和导入本系列产品所需的丰富设计数据,其中包括含有驱动电路设计方法的应用指南和SPICE模型等,以支持快速引入市场。

ROHM将继续开发满足各种需求的低损耗功率元器件,同时,提供设计工具以及各种解决方案,通过助力应用系统的节能和小型化为减轻环境负荷贡献力量。

制造商: STMicroelectronics

产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器

RoHS: 详细信息

类型: Driver

工作电源电压: 7 V to 52 V

工作电源电流: 6 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerSO-36

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

系列: L6235

商标: STMicroelectronics

湿度敏感性: Yes

产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工厂包装数量: 600

子类别: PMIC - Power Management ICs

单位重量: 2 g

Si828x版本2包含以下功能:

4安培峰值栅极驱动电流可有效开关SiC FET和IGBT,降低电动汽车和工业应用的运营成本

改进的共模瞬变抗扰性(CMTI)支持减少开关转换时间,升高开关频率,降低系统损耗

额外的欠压锁定(UVLO)设置可提高SiC FET的灵活性,防止电源供电不良

集成的DC-DC转换器可简化设计,降低系统成本

提供FET去饱和保护,以检测并消除故障状况

包含米勒钳位,消除了寄生引起的击穿情况


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


热门点击

 

推荐技术资料

电源变压器制作
    铁心截面积S=34mm×60mm, &nbs... [详细]
版权所有:51dzw.COM
深圳服务热线:13751165337  13692101218
粤ICP备09112631号-6(miitbeian.gov.cn)
公网安备44030402000607
深圳市碧威特网络技术有限公司
付款方式


 复制成功!