在全球“创建无碳社会”和“碳中和”等减少环境负荷的努力中，电动汽车（xEV）得以日益普及。

在设计汽车充电器和牵引逆变器时，将SiC FET用于功率开关的客户可以极大地受益于Si828x独特的功能组合，包括强健的栅极驱动、强大的去饱和故障响应和高效率的米勒钳位。

Silicon Labs与SiC解决方案的主要提供商Wolfspeed进行合作，其栅极驱动器已经通过了Wolfspeed SiC MOSFET的测试。

针对SiCMOSFET进行了优化的栅极驱动器，可以最大限度地提高SiC在这些应用中的使用效果。

开发板和工具包 - ARM

594

MOSFET

663

晶体

283

模数转换器 - ADC

2,767

稳压二极管

7,659

电源管理IC开发工具

49

三极与 SCR 输出光电耦合器

887

马达/运动/点火控制器和驱动器

1,841

低压差稳压器

514

RGWxx65C系列”是Hybrid型IGBT，在IGBT的反馈单元（续流二极管）中采用了ROHM的低损耗SiC SBD。与以往使用Si快速恢复二极管（Si-FRD）的IGBT产品相比，成功地大幅降低了开通损耗，在车载充电器应用中损耗比以往IGBT产品低67％。

与通常损耗小于IGBT的SJ-MOSFET相比，损耗也可降低24％。

在转换效率方面，新产品可以在更宽的工作频率范围确保97％以上的高效率，并且在100kHz的工作频率下，效率可比IGBT高3％，有助于以更高的性价比进一步降低车载和工业设备应用的功耗。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）